С учетом КПД согласующей цепи первого усилительного каскада ηсц1=0,4= η1 получаем мощность, отдаваемую транзистором этого каскада
Р1=P2/η1=0,02/0,4=0,05 Вт.
Для данной рассеиваемой мощности и частоты также возьмем транзистор КТ373А. Выходная мощность этого транзистора по паспорту на частоте f=300МГц составляет . Напряжение питания ЕП=12 В.
Мощность, подаваемая на первый усилительный каскад с автогенератора (с учетом КПД согласующей цепи)
РВХ=Р1/КР1=0,05/10=0,005 Вт.
С учетом всех приведенных выше вычислений составим структурную схему (рис. 1).
рис. 1. Структурная схема
3.1 Расчет выходного каскада:
Исходные данные: транзистор КТ934В; РВЫХ=Р7=13,3(Вт); f=149,975(МГц); UК0=28(В); UВ0=0,7(В); режим - граничный;
1) Сопротивление потерь коллектора в параллельном эквиваленте рассчитываем по формуле:
ω=2π·f=2·3,14·149,975·106=941,84·106(рад/с);
СК=32(пФ) – емкость коллекторного перехода;
r′K≈ rБ=1(Ом) - сопротивление коллектора, тогда
;
2) Коэффициент использования коллекторного напряжения в граничном режиме:
, где
SГР=1/rНАС=1/0,25=4(См) – граничная крутизна, тогда
;
3) Напряжение и первая гармоника тока нагрузки, приведенные к ЭГ:
UK=ξГР·UK0=0,982·28=27,504(B);
IK1=2·PВЫХ/UK=2·13,3/27,504=0,967(A);
4) Полезная нагрузка и полное сопротивление, приведенное к ЭГ:
RK=UK/IK1=27,504/0,967=28,439(Ом);
R′K=RK·rK/(RK+rK)=28,439·1101/(28,439+1101)=27,722(Ом);
5) Амплитуда первой гармоники тока ЭГ:
IГ1=IK1·(1+RK/rK)=0,967·(1+28,439/1101)=0,992(А);
6) Крутизна по переходу:
, где
для кремниевых транзисторов температура перехода tП=120…1500С, тогда
7) Сопротивление рекомбинации
r=h21Э/SП=100/29,298=3,413(Ом)
8) Крутизна статической характеристики коллекторного тока
, где
r′Б=τОС/СКА= τОС/(СК/3)=5·10-12/1,067·10-11= 0,469(Ом) – сопротивление базы;
r′Э=0,3· r′Б =0,3·0,469=0,141(Ом) – сопротивление эмиттера, тогда
9) Коэффициент разложения
, где
U′=0,7(В) – напряжение сдвига статической характеристики для кремниевых транзисторов;
ωГР=2π·fГР=2π·400·106=2,512·109(рад/с);
СЭ=120·10-12(Ф);
А=0,65+0,15· ωГР·СЭ/S=0,65+0,15·2,512·109·120·10-12/5,529=0,658;
В=0,67+ ωГР·СЭ/S=0,67+2,512·109·120·10-12/5,529=0,725 , тогда
10) Для полученного γ1 из приложения 1 [4] находим
g1=1,2; cosθ=-0,7
11) Амплитуда тока базы
, где
СК=32·10-12(Ф) – емкость коллекторного перехода, тогда
12) Модуль коэффициента усиления по току, приведенный к ЭГ:
Ki=IK1 / IБ1=0,967/1,238=0,781;
13) Пиковое обратное напряжение на эмиттере:
14) Составляющие входного сопротивления транзистора первой гармонике:
,
, где
LЭ=1·10-9(Гн) – индуктивность эмиттерного вывода;
LБ=2,8·10-9(Гн) – индуктивность базового вывода;
LК=2,5·10-9(Гн) – индуктивность коллекторного вывода
СКА=⅓СК=⅓·32·10-12=1,067·10-11(Ф);
15) Коэффициент усиления по мощности
КРоэ=Кi2·RK/rВХ1=0,7812·28,439/1,061=16,35;
16) Постоянная составляющая коллекторного тока
IK=IГ1/g1(θ)=0,992/1,2=0,827 (А);
17) Мощность, потребляемая от источника питания
Р0=IK·UK0=0.827·28=23,149(Вт);
18) Коэффициент полезного действия
ηК=РВЫХ/Р0=13,3/23,149=0,575;
19) Входная мощность
РВ=РВЫХ/КР=13,3/16,35=0,813(Вт);
20) Рассеиваемая мощность
РРАС=Р0-РВЫХ+РВ=10,663(Вт);
21) Составляющие сопротивления нагрузки, приведенные к внешнему выводу коллектора в параллельном эквиваленте:
RH=24,74(Ом);
ХН=34,675(Ом);
3.2. Расчет предвыходного каскада:
Расчет проводится аналогично расчету выходного каскада.
Исходные данные: транзистор КТ934А;
РВЫХ=РВХ.вых.каск/η3.=0,813/0,6=1,355(Вт);
f=149,975(МГц); UК0=28(В); UВ0=0,7(В); режим - граничный;
1) Сопротивление потерь коллектора в параллельном эквиваленте рассчитываем по формуле:
ω=2π·f=2·3,14·149,975·106=941,84·106(рад/с);
СК=9(пФ) – емкость коллекторного перехода;
r′K≈ rБ=1(Ом) - сопротивление коллектора, тогда
rk=1,392·104(Ом);
2) Коэффициент использования коллекторного напряжения в граничном режиме:
, где
SГР=1/rНАС=1/1,5=0,667(См) – граничная крутизна, тогда
ξГР =0,989;
3) Напряжение и первая гармоника тока нагрузки, приведенные к ЭГ:
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.