Параметры
колебательного контура:
r
=12.5
Ом.
Требуется:
а) построить ВАХ заданного НЭ. Для
вариантов 1, 3, 5, 7 и 9 в качестве аппроксимирующей функции использовать
степенной полином, рассчитать коэффициенты аппроксимирующей функции, построить
эту функцию на одном графике с ВАХ;
б) рассчитать и построить статическую
модуляционную характеристику (для заданной амплитуды Um);
в) по статической модуляционной
характеристике выбрать смещение U0,
максимальную амплитуду UΩ модулирующего сигнала
и наибольший коэффициент модуляции MI
тока
при неискаженной модуляции;
г) изобразить на одном рисунке ВАХ
НЭ, входное напряжение и ток НЭ. используя три координатные плоскости;
д) рассчитать и построить спектр
тока на выходе НЭ; при этом для нечетных вариантов входной сигнал содержит
модулирующее напряжение, а для четных не содержит, е) определить и обосновать
параметры контура L,
С и
r, обеспечивающие
допустимые линейные искажения (<30 %, т. е. при D=MU
/MI>
70 %). Рассчитать фазовый сдвиг φ;
ж) выбрать коэффициент включения
контура, обеспечивающий требуемую амплитуду Uвыхвыходного
АМ-сигнала. Влиянием НЭ на контур можно
пренебречь.
Примечание.
Напряжение питания модулятора для всех вариантов можно принять равным Еп= 24 В.
Решение
а) рассчитаем
аппроксимирующую функцию для ВАХ.
Построим ВАХ транзистора по исходным
данным (Рисунок 2.1).
Аппроксимируем
ВАХ транзистора степенным полиномом 3-й степени:
.
Выберем
на ВАХ четыре характерные точки:
uб1
= 0, iк1
= 0;
uб2
= 0.15 В, iк2
= 0.5 мА;
uб3
= 0.25 В, iк3
= 2.5 мА;
uб4
= 0.6 В, iк4
= 45 мА;
Методом
Гаусса решаем СЛАУ и получаем следующие коэффициенты аппроксимации:
Таким
образом, искомая аппроксимирующая функция принимает вид:
мА.
Построим
исходную и аппроксимированную ВАХ в одних осях координат (Рисунок 2.2).
б)
рассчитаем и построим статическую модуляционную характеристику (СМХ).
Выражение
для тока через НЭ:

Отсюда
СМХ принимает вид
.
Для
заданной амплитуды Um
= 0.05 В график СМХ приведён на Рисунке 2.3.
Для
кусочно-линейной аппроксимации СМХ выберем Uн
= 0.2 В.
в)
получим U0,
UΩ
max, MI
max
для
неискажённой модуляции.
При
неискажённой модуляции угол отсечки меняется в пределах

Тогда
По
СМХ имеем
А
|
А
|
Вычислим
U0,
UΩ
max, MI
max:
г)
изобразим на трёх координатных плоскостях ВАХ НЭ, входное напряжение и ток
через НЭ (Рисунок 2.4).
Рисунок 2.4. Совмещенный чертёж
д)
расчёт спектра тока на выходе НЭ (не включая модулирующее напряжение).
Спектральную
диаграмму построим на Рисунке 2.5 с логарифмической шкалой по оси
ординат.
е)
определение параметров контура (L,
C, Q),
обеспечивающих допустимые нелинейные искажения (D
= MU
/
MI
> 70%), и фазового сдвига φ.
Допустимые
линейные искажения меньше 30%:

Обобщённая
расстройка контура:
.
Тогда
Выберем
Q = 26.
Вычислим
реактивные параметры контура:
Фазовый
сдвиг:
ж)
выбор коэффициента включения контура для необходимой амплитуды выходного
сигнала Uвых.
Амплитуда
напряжения на выходе:

Резонансное
передаточное сопротивление выхода контура на вход контура:
.
Тогда