Синтез элемента Шеффера со сложным инвертором

Лабораторная работа №2

“Синтез элемента Шеффера со сложным инвертором”

Цель: Ознакомиться с логикой работы, изучение принципа действия, исследование влияния характеристик компонентов, освоение методики определения основных характеристик и параметров элемента ДТЛ “Штрих Шеффера”.

Рис.1: Принципиальная схема элемента Шеффера со сложным инвертором.

Диоды VD1-VD4:                 КД503А

Транзисторы VT1, VT2:     КТ315Б

Транзисторы VT3, VT4:     КТ815Г

Резисторные значения:                                                       

R1 = 6.8K;   

R2 = 1.8K;   

R3 = 3.3К;    

R4 = 20K;                                                                     

R5 = 180.

  Таблица истиности:

ЛР-2

ВМ-12 ХГТУ

Схемотехника

Зелёв Л.В.

Лист 002

Iд,mA   

Uд,B

Характеристика диода КД 503А

Iб,mkA

Uбэ,B

Входная характеристика транзистора КТ815Г

ЛР-2

ВМ-12 ХГТУ

Схемотехника

Зелёв Л.В.

Лист 003

Выходные характеристики транзистора КТ815Г

Iб,mkA

Uбэ,B

Входная характеристика транзистора КТ315Б

Выходные характеристики транзистора КТ315Б

Вывод: Ознакомился с логикой работы элемента Шефера со сложным инвертором. Сложный инвертор схемы, теоретически должен обеспечить более высокую нагрузочную способность, однако дополнительная нагрузка довольно сильно “сажает” уровень сигнала.

ЛР-2

ВМ-12 ХГТУ

Схемотехника

Зелёв Л.В.

Лист 004

1.   

ЛР-2

ВМ-12 ХГТУ

Схемотехника

Зелёв Л.В.

Лист 006

.

ЛР-1

ВМ-12 ХГТУ

Схемотехника

Зелёв Л.В.

Лист 008