Глава № 17
1. Определить мощность электрических потерь пьезоэлектрического преобразователя. Толщина пьезо элемента 2 мм. Длина конденсатора 50 мм, ширина 20 мм. Диэлектрическая проницаемость пьезо материала = 1,12 Ф/м. Напряжение 10 В, промышленной частоты.
Решение:
;
;
; .
где: Rд - сопротивление обусловленное диэлектрическими потерями, Ом;
tgδ - тангенс угла диэлектрических потерь = 0,97;
ε - Диэлектрическая проницаемость пьезо материала, Ф/м;
S - площадь, мм2;
d – толщина пьезо материала, мм.
мм2;
мкФ;
Ом;
кВт.
2. При прохождении звуковой волны, необходимо определить интенсивность звука. Если известно, что мгновенное звуковое давление Р = 4 Па, волновое акустическое сопротивление Z0 = 20 Ом, механическое сопротивление среды Rm = 50 Ом.
3. Определить тангенс угла диэлектрических потерь обрабатываемого материала в ультразвуковой установке, если толщина пьезоматериала 0,05 м, площадь 2,25 м2, диэлектрическая проницаемость пьезоматериала εд = 1,3·10-3, мощность электрических потерь Рэп = 2000 Вт, напряжение 110 В.
4. Найти время смыкания газового пузырька радиусом 0,05 мм. Поверхностное натяжение 0,64. Минимальный и максимальный радиус 0,02 и 0,04 мм. Плотность жидкости = 2,56 г/см3. Максимальное давление 5,12 Па
5. Найти мощность электрических потерь в установке ультразвуковой обработки, если известна частота f = 50 Гц, тангенс угла диэлектрических потерь tgδ = 0,2, радиус обкладки конденсатора R = 0,08, диэлектрическая проницаемость пьезоматериала εд = 6,8 Ф/м, расстояние между пластинами d = 0,1м, напряжение источника питания U = 220 В
6. Определить длину волны ультразвука в сплаве при частоте колебаний 18 кГц, радиусе сплава 8 мм, , напряженности 20 В, уд. сопротивление сплава 0,028·10-6 Ом·м.
7. Рассчитать КПД излучателя Гартмана, если максимальная частота излучателя fmax = 22 кГц, рабочее давление Ро = 4 Па.
8. Определить плотность энергии ультразвука, если длина волны , механическое сопротивление материала , амплитуда колебаний частиц среды , площадь поверхности на которую падает волна см2, скорость распространения волны .
9. Определить активное и реактивное сопротивление преобразователя, если его , , мощность выделяемая в ультразвуковой волне , мощность системы охлаждения преобразователя и мощность потерь в цепи подмагничивания .
10. Определить полную энергию системы с одной степенью свободы, на примере горизонтально расположенного шарика на пружине с , период колебаний пружины , шарик смещается на расстояние , при этом его средняя скорость равна .
11. Определить интенсивность ультразвука (Вт/см2) , при падении плоской волны перпендикулярно к плоскости, если длина волны , частота , угловая частота , площадь поверхности на которую падает волна , а механическое сопротивление материала , амплитуда колебаний частиц среды .
12. Найти число витков, необходимое намотать на каждый стержень ультразвукового преобразователя, если его предельная акустическая мощность , а потери мощности , если известны параметры магнитопровода преобразователя , , , .
13. Найдите линейные размеры волновода со свободными концами. Решение производить с помощью уравнения, которым описывают колебания волновода. Длина волны .
14. Определить мощность электрических потерь в пьезоэлектрическом преобразователе Рэл. Если напряжение U=20В, диэлектрическая проницаемость пьезоматериала , площадь S=0,20м2, толщина d=0,015м, тангенс угла диэлектрических потерь материала .
15. Определить интенсивность звукового поля Ia при большом расстоянии от источника ультразвука, если известно что амплитуда смещения ξm= 0,5 м, время t = 10 сек, частота f = 50 Гц, фазовый сдвиг φ = П/2 рад, звуковое давление р = 5 кПа.
16. Найти резонансную частоту газовых пузырьков ξ, возникших в результате ультразвуковой обработки, если известно, что плотность жидкости ρ=1 г/см3, площадь сечения идеально круглого пузырька S=0,000005 см2, теплоемкость газа при постоянном давлении Cp=120 К/см3, теплоемкость при постоянном объеме Cv=100 К/см3
17. Определить относительное изменение коэффициента диффузии под действием ультразвука F, величину свободной энергии зародыша кристаллизации Д , вероятность образования зародышей в кристалле W, если известно абсолютная температура , , свободная поверхностная энергия, находящаяся в контакте с расплавом , энергия активации .
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.