Глава № 17
1. Определить мощность электрических потерь пьезоэлектрического преобразователя. Толщина пьезо элемента 2 мм. Длина конденсатора 50 мм, ширина 20 мм. Диэлектрическая проницаемость пьезо материала = 1,12 Ф/м. Напряжение 10 В, промышленной частоты.
Решение:
;
;
;
.
где: Rд - сопротивление обусловленное диэлектрическими потерями, Ом;
tgδ - тангенс угла диэлектрических потерь = 0,97;
ε - Диэлектрическая проницаемость пьезо материала, Ф/м;
S - площадь, мм2;
d – толщина пьезо материала, мм.
мм2;
мкФ;
Ом;
кВт.
2. При прохождении звуковой волны, необходимо определить интенсивность звука. Если известно, что мгновенное звуковое давление Р = 4 Па, волновое акустическое сопротивление Z0 = 20 Ом, механическое сопротивление среды Rm = 50 Ом.
3. Определить тангенс угла диэлектрических потерь обрабатываемого материала в ультразвуковой установке, если толщина пьезоматериала 0,05 м, площадь 2,25 м2, диэлектрическая проницаемость пьезоматериала εд = 1,3·10-3, мощность электрических потерь Рэп = 2000 Вт, напряжение 110 В.
4. Найти время смыкания газового пузырька радиусом 0,05 мм. Поверхностное натяжение 0,64. Минимальный и максимальный радиус 0,02 и 0,04 мм. Плотность жидкости = 2,56 г/см3. Максимальное давление 5,12 Па
5. Найти мощность электрических потерь в установке ультразвуковой обработки, если известна частота f = 50 Гц, тангенс угла диэлектрических потерь tgδ = 0,2, радиус обкладки конденсатора R = 0,08, диэлектрическая проницаемость пьезоматериала εд = 6,8 Ф/м, расстояние между пластинами d = 0,1м, напряжение источника питания U = 220 В
6. Определить длину волны
ультразвука в сплаве при частоте колебаний 18 кГц, радиусе сплава 8 мм, ,
напряженности 20 В, уд. сопротивление сплава 0,028·10-6 Ом·м.
7. Рассчитать КПД излучателя Гартмана, если максимальная частота излучателя fmax = 22 кГц, рабочее давление Ро = 4 Па.
8. Определить плотность энергии
ультразвука, если длина волны ,
механическое сопротивление материала
,
амплитуда колебаний частиц среды
, площадь
поверхности на которую падает волна
см2, скорость распространения
волны
.
9. Определить активное и
реактивное сопротивление преобразователя, если его ,
, мощность выделяемая в ультразвуковой
волне
, мощность системы охлаждения
преобразователя
и мощность потерь в цепи
подмагничивания
.
10. Определить полную энергию системы с одной степенью свободы, на примере
горизонтально расположенного шарика на пружине с , период колебаний пружины
, шарик
смещается на расстояние
, при этом его средняя скорость равна
.
11. Определить интенсивность ультразвука (Вт/см2) , при падении
плоской волны перпендикулярно к плоскости, если длина волны , частота
, угловая частота
, площадь поверхности на которую падает волна
, а
механическое сопротивление материала
, амплитуда
колебаний частиц среды
.
12. Найти число витков,
необходимое намотать на каждый стержень ультразвукового преобразователя, если
его предельная акустическая мощность ,
а потери мощности
,
если известны параметры магнитопровода
преобразователя
,
,
,
.
13. Найдите линейные размеры волновода со свободными концами. Решение
производить с помощью уравнения, которым описывают колебания волновода. Длина
волны
.
14. Определить мощность
электрических потерь в пьезоэлектрическом преобразователе Рэл.
Если напряжение U=20В, диэлектрическая
проницаемость пьезоматериала , площадь S=0,20м2, толщина d=0,015м,
тангенс угла диэлектрических потерь материала
.
15. Определить интенсивность звукового поля Ia при большом расстоянии от источника ультразвука, если известно что амплитуда смещения ξm= 0,5 м, время t = 10 сек, частота f = 50 Гц, фазовый сдвиг φ = П/2 рад, звуковое давление р = 5 кПа.
16. Найти резонансную частоту газовых пузырьков ξ, возникших в результате ультразвуковой обработки, если известно, что плотность жидкости ρ=1 г/см3, площадь сечения идеально круглого пузырька S=0,000005 см2, теплоемкость газа при постоянном давлении Cp=120 К/см3, теплоемкость при постоянном объеме Cv=100 К/см3
17. Определить
относительное изменение коэффициента диффузии под действием ультразвука F, величину свободной
энергии зародыша кристаллизации Д , вероятность образования зародышей в
кристалле W, если известно
абсолютная температура
,
,
свободная поверхностная энергия, находящаяся в контакте с расплавом
, энергия
активации
.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.