Расчет схемной модели кремниевого бездрейфового транзистора n-p-n структуры, страница 6

Вплавление эмиттерной и коллекторной навесок производят  в защитной атмосфере. В зависимости от материала навесок выбирается и температура вплавления. При производстве сплавных триодов применяют два метода вплавления: кассетный и бескассетный. При кассетном методе все детали триода (полупроводниковая пластинка, эмиттерная и коллекторная навески, кольцо вывода базы и кольцо припоя для получения невыпрямляющего контакта   выводом базы) помещают в графитовую кассету. Кассета обеспечивает центровку всех деталей. При бескассетном методе вплавления эмиттерную и коллекторную навески припрессовывают к пластине полупроводника. Бескассетный метод обеспечивает хорошую центровку переходов и лучшее их качество.

После выполнения операции вплавления полупроводниковый триод практически готов. Остается припаять выводы к эмиттеру и коллектору. После контроля качества вплавления производится травление переходов. При .том с поверхности кристалла удаляются загрязнения (при электролитическом травлении эмиттерного перехода уменьшается фактическая глубина его вплавления, что снижает влияние поверхностной рекомбинации). Границы переходов обычно получаются не очень совершенными, даже если кристалл резался по плоскости, и из-за этого минимальная толщина базы может оказаться в 2 – 5 раз меньше, чем средняя, в результате чего понижается напряжение смыкания переходов.

Так как параметры триода чувствительны к состоянию поверхности полупроводника, его обязательно помещают в корпус. В настоящее время все транзисторы выпускаются в металлических корпусах, детали которых соединяются сваркой. Горячая (контактная) сварка корпуса сопровождается выделением газов при разогреве шва, а также появлением выплесков металла. Для защиты от вредного действия этих явлений переходы триода перед сборкой защищаются кремнийорганическим лаком. В случае холодной сварки соединение деталей происходит при сильном их сжатии, сопровождающемся пластической деформации. Это требует увеличения толщины ножки, чтобы избежать растрескивания изоляторов выводов. Для уменьшения влияния пластической деформации иногда делается кольцевая выточка вдоль шва.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В результате выполнения курсовой работы я овладел навыками расчёта полупроводниковых транзисторов.

Мною был проведён расчёт схемной модели кремниевого бездрейфового транзистора структуры n-p-n. В результате расчета был определен коэффициент передачи по току. Полученная величина не превышает теоретически определенного значения, то есть единицы. Полученный в результате расчета коэффициент говорит о том, что данный бездрейфовый транзистор имеет хорошие свойства. Кроме физических параметров транзистора был рассчитан обратный ток коллектора, незначительная величина которого также свидетельствует о хороших и положительных качествах исследуемого транзистора. Были рассмотрены и построены Т-образные эквивалентные схемы замещения транзистора на низкой и высокой частотах для схемы включения с общим эмиттером, для этого случая, в частности для второго, были рассчитаны диффузионные емкости эмиттера и коллектора. При расчете транзистора исследованы зависимости α = f(I_э) и β = f(I_б). Полученные графики показали правильный результат. Зависимости были обоснованы в подразделе 2.5.

Все расчеты производились с использованием программы математических вычислений MathCAD-2001Professional.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1.  Батушев В.А. Электронные приборы. - М.: Высш. шк., 1980. – 383 с.

2.  Методические указания к курсовой работе по курсу «Твердотельные приборы и устройства» /Сост. Ванцан В.М и др. Харьков: ХИРЭ, 1992. – 56 с.

3.  Пасынков В.В. и др. Материалы электронной техники. – М.: Высш. шк., 1986. – 342 с.

4.  Пасынков В.В. и др. Полупроводниковые приборы. – М.: Высш. шк., 1987. – 479 с.

5.  Трутко А.Ф. Методы расчета транзисторов. Изд. 2-е, перераб. И доп. М., «Энергия», 1971. 272 с.