Напівпровідникові прилади на основі p-n переходу, страница 17

.

а)

б)

Рис. 3.22

Величина ємності, яка називається бар’єрною, залежить від напруги, що прикладається до p-n переходу в зворотньому напрямку (рис. 3.20, а) і знаходиться в межах 10 – 500 пФ.

Основними параметрами варикапа є: початкова ємність Со, яка фіксується при Uзв ≈ 2 В; коефіцієнт перекриття по ємності КС ; добротність QС.

Коефіцієнт перекриття визначається як відношення максимальної ємності Смакс до мінімальної Смін, тобто .

Добротність визначається параметрами схеми заміщення: послідовним Rп та шунтуючим Rш опорами (рис. 3.20, б) і знаходиться як співвідношення між реактивною і активною потужностями: . Реальні значення добротності варикапа залежить від величини напруги і робочої частоти і знаходиться в діапазоні 102 – 104.

В таблиці 3.9 приводяться деякі технічні характеристики варикапів.

Таблиця 3.9

Тип

  CB , пФ

      КС

 QB

IЗВ , мкА

UЗВ. max , В

PB , Вт

UЗВ , В

f , мГц

UЗВ , В

UЗВ , В

f , мГц

КВ122В

1,9…3,1

25

1

4…6

3…25

300

25

50

0,2

30

0,1

КВ109Б

2…2,3

25

1…10

4,5…6,5

3…25

300

3

50

0,5

25

0,005

КВ122Б

2…2,3

25

1

4,5…6,5

3…25

450

25

50

0,2

30

КВ109А

2,3…2,8

25

1…10

4…5,5

3…25

300

3

50

0,5

25

0,005

КВ122А

2,3…2,8

25

1

4…5,5

3…25

450

25

50

0,2

30

Варикапи знаходять широке використання в різних електронних схемах і модуляторах, параметричних підсилювачах і перетворювачах, генераторах і т.п.

На рис. 3.21 приводиться зовнішній вигляд корпусів деяких типів варикапів.

Рис. 3.23

3.5.5. Фотодіоди

Загальна характеристика

Фотодіод – це фотоприймач, принцип дії якого базується на фотогальванічному ефекті і фоточутливий елемент якого має структуру напівпровідникового діода.

Відомо, що рівновага, яка створюється в р-n переходах напівпровідникових діодів за рахунок вирівнювання дифузійної і дрейфової складових, порушується при прикладанні прямої напруги. При цьому співвідношення змінюється в сторону дифузійної складової струму.

Розглянемо тепер особливості роботи р-n переходу в фотодіодах на прикладі напівпровідникової структури, що приведена на рис. 3.24.

Рис. 3.24

База n- типу, що опромінюється світловим потоком Ф, має товщину lБ, меншу середньої довжини пробігу неосновних носіїв. Тому створені за рахунок опромінення пари електрон-дірка майже повністю доходять до р-n переходу. Внаслідок того, що дірки захоплюються полем переходу і переносяться в n- область, а електрони гальмуються ним і залишаються в n- базі, можна вважати, що р-n перехід виконує функції розділення носіїв. Дірки, які переходять через перехід і обумовлені інтенсивністю світлового потоку, створюють фотострум IФ. Тому в фотодіодах при опроміненні світловим потоком рівновага порушується на користь неосновних носіїв. Порівнюючи з випрямляючими діодами, в яких дрейфова складова струму є небажаним струмом, і його необхідно зменшувати, так і в фотодіодах небажаним є дифузійна складова струму, яку необхідно також зменшувати.

Створений неосновними носіями струм через перехід приводить до накопичення в р- області збиткової кількості дірок, а накопичувані в n- області електрони приводять до накопичення від’ємного заряду. Це приводить до зниження висоти потенційного бар’єру j0 на величину DЕ = ЕФ, яка називається фото-ЕРС. На відміну від випрямляючих діодів, величина ЕФ < j0, оскільки при ЕФ = j0 зникне потенційний бар’єр, який забезпечує створення фотоструму.