Рисунок 27.2 – ПЛМ с регистром памяти
В настоящее время выпускается ПЛМ с .Условное обозначение ПЛМ с памятью показано на рис. 3
|
Рисунок 27.3 – Условное обозначение ПЛМ с памятью
27.2 Сравнение ПЛМ с полупроводниковой памятью
Рассмотрим структуру полупроводниковой памяти (рис. 27.4)
1 S
1 t
Рисунок 27.4 – Структура полупроводниковой памяти.
ПЛМ комбинационной логики напоминает полупроводниковое ЗУ, структуру которого показано на рис. 4. Отличие состоит в организации доступа к матрице М2, что при реализации логических схем даёт ряд существенных преимуществ ПЛМ:
1. Матрица М1 ПЛМ является программируемой в отличии от жёсткого дешифратора DC полупроводникового ЗУ.
2. Дешифратор ЗУ полный: q=2S. Матрица М1 ПЛМ имеет меньше выходов q=2S . Если в ЗУ входной набор возбуждает один и только один терм, т. е. каждый входной набор выбирает одно и только одно в ЗУ, то в ПЛМ:
а) часть входных наборов может быть незначимой, т. е. не возбуждать ни одного терма, не выбирать ни одного слова в матрице Мr , что равносильно выбору нулевых слов в ЗУ;
б) каждый терм ПЛМ является истинным для данного терма входов. Таким образом, несколько входных наборов могут возбуждать один и от же терм, выбирать одно и то же слово в матрице М2;
в) на одном и том же верхнем наборе могут принимать значение 1 несколько термов ПЛМ, в результате чего в матрице М2 выбирается одновременно несколько слов, а на выходных шинах формируется поразрядная дизъюнкция.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.