Экспериментальное исследование и анализ управляющих характеристик полевого транзистора с p‑n‑затвором и каналом n‑типа

Шахраев А.А.                                                    ЭМ–21

Лабораторная работа №10

ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Исследование управляющих характеристик полевого транзистора с p‑n‑затвором и каналом n‑типа

Цель работы: экспериментальное исследование и анализ управляющих характеристик полевого транзистора с p‑n‑затвором и каналом n‑типа, включённого по схеме с общим истоком.

Рисунок 1 – Схема исследования управляющих характеристик полевого транзистора

Рисунок 2 – Управляющая характеристика I_с = f (U_зи)  полевого транзистора.

Крутизна характеристики:=0,5/0,2=2,5 мА/В , при U_си = 5 В

Коэффициентом усиления: = 3/0,1=30 при I_с = 2 мА.

Вывод: в ходе лабораторной работы исследовали управляющие характеристики полевого транзистора, выяснили, что при увеличении напряжения U_си1 характеристика становится круче, т.е. больший ток при 0-ом напряжении U_зи, и при меньшем напряжении происходит запирание транзистора. Крутизна характеристики исследуемого транзистора составила

S=2,15 мА/В, при U_си = 5 В.