Розрахунок транзисторних ключових каскадів, страница 7

Рисунок 3.5 – Розподіл струмів і напруг при U_{вх.викл} = 20 В

Умова режиму насичення транзистора:

                                                 b×I_Б ³ I_Кн,                                                                                    (3.2)

тобто I_Б ³ 0,09 мА. З рис.3.5 випливає:

                                               I_Б =I_вх – I_зс,                                                                                   (3.3)

де

                                        I_вх =(U_{вх.викл} – U_{БЕ нас})/R                                      (3.4)

                                        I_зс =(U_{БЕ нас} + U_зс)/R_зс                                          (3.5)

З (3.2) з урахуванням (3.3)–(3.5) отримуємо:

Нехай R_зс = 1 кОм, тоді R ≤ 9,6 кОм.

При визначенні меж значень опору резистора R для забезпечення режиму відсічення розглянемо найгіршу ситуацію U_вх.вкл = 15B (рис.3.6).

Умова перебування транзистора в режимі відсічення

                                               U_БЕ £0,                                                       (3.6)

де

         U_БЕ = U_вх.вкл R_зс / (R+R_зс) – U_зсR / (R+R_зс) +I_К0 RR_зс / (R+ R_зс).       (3.7)

Рисунок 3.6 – Розподіл струмів і напруг при U_вх.вкл = 15 В

З (3.6) і (3.7) випливає:

,

тобто R ≤ 11.5 кОм.

Оскільки значення опору R для режиму насичення має задовольняти умові R ≤ 9,6 кОм, виберемо таке значення, що буде задовольняти режимові насичення і відсічення. Нехай R = 8,2 кОм.