Дослідження вольт-амперних характеристик біполярних транзисторів

Министерство образования и науки Украины

Харьковский национальный университет радиоэлектроники

Кафедра  ЭВМ

Отчёт

по лабораторной работе №2

По курсу «Компьютерная электроника»

Выполнил                                                                                  Принял:           

студент группы КИ-06-7                                                     Чиженков Ю.Я.

Гранков Алексей                                                                 

Харьков 2008

ДОСЛІДЖЕННЯ ВОЛЬТ-АМПЕРНИХ ХАРАКТЕРИСТИК БІПОЛЯРНИХ ТРАНЗИСТОРІВ

2.1 Мета роботи

Дослідження отриманих експериментальним шляхом вхідної та вихідної характеристик біполярних транзисторів.

2.2 Порядок виконання роботи

2.2.1 Дослідження залежності струму колектора від струму бази та напруги база-емітер

Рисунок 2.1 – Схема для виявлення залежності струму колектора від струму бази  для транзисторів p-n-p структури

Транзистор p-n-p структури:

2

Nationl3

2N3702

b=Iк/Iб = 178mA/7mA = 25,4

2.2.2 Побудова вихідної вольт-амперної характеристики

Рисунок 2.2 – Схема для отримання вихідної ВАХ n-p-n-транзистора

для схеми з СБ

Таблиця 2.1  Відповідність струму колектора I_К  напрузі колектор-база U_КБ   при фіксованому значені струму емітера

IЕ, мА	UКБ, В	0	0,2	0,5	1	5	10	15	20
10	Iк, мА	9,2604	9,413	9,6419	9,9475	9,9535	9,9564	9,9622	9,9652
20	Iк, мА	19,154	19,3121	19,5482	19,8659	19,8795	19,8901	19,9025	19,9094
30	Iк, мА	28,9527	29,1304	29,397	29,7533	29,778	29,7998	29,8217	29,8343
40	Iк, мА	38,6637	38,8738	39,1889	39,6105	39,6494	39,6859	39,7201	39,7401
50	Iк, мА	48,3362	48,582	48,9507	49,4434	49,4937	49,5513	49,5945	49,6213