Информатика и выч. техника \ Компьютерная электроника

Полупроводниковые диоды, отчет по лабораторной работе

Страницы работы

Уважаемые коллеги! Предлагаем вам разработку программного обеспечения под ключ.

Опытные программисты сделают для вас мобильное приложение, нейронную сеть, систему искусственного интеллекта, SaaS-сервис, производственную систему, внедрят или разработают ERP/CRM, запустят стартап.

Сферы - промышленность, ритейл, производственные компании, стартапы, финансы и другие направления.

Языки программирования: Java, PHP, Ruby, C++, .NET, Python, Go, Kotlin, Swift, React Native, Flutter и многие другие.

Всегда на связи. Соблюдаем сроки. Предложим адекватную конкурентную цену.

Заходите к нам на сайт и пишите, с удовольствием вам во всем поможем.

Содержание работы

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ОБРАЗОВАНИЯ УКРАИНЫ

ХАРЬКОВСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

Отчет

по лабораторной работе № 1

по курсу «Компьютерная электроника»

Выполнил: Проверил:

ст. гр. КИ-06-7

Парченко П. В.

Харьков 2008

Полупроводниковые диоды

Цель: Изучение основ работы с программным комплексом EWB. Исследование напряжения и силы тока разных типов диодов при прямом и обратном смещении p-n перехода. Построение и исследование вольтамперной характеристики (ВАХ) диода. Исследование сопротивления диода при прямом и обратном смещении по вольтамперной характеристике.

Ход работы

Параметры исследуемых диодов указаны в таблице 1.1

Таблица 1.1 – Начальные данные

Диод	Библиотека	Тип диода	Е1(В), для обратной цепи ВАХ	Е1(В), для прямой цепи ВАХ
Обычный	general1	GP30A	0…-60	0…10
Стабилитрон	Motor_bzx	BZX85C16	0…-26	0…10

Исследование обычного диода

Для исследования прямой ветвиВАХ диода собираем схему согласно рис.1.1. Последовательно устанавливая значения напряжения источника Е1 записываем значения напряжения U_пр и силы тока I_пр диода в таблицу 1.2.