Полупроводниковые диоды, отчет по лабораторной работе

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ОБРАЗОВАНИЯ УКРАИНЫ

ХАРЬКОВСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

Отчет

по лабораторной работе № 1

по курсу «Компьютерная электроника»

Выполнил:                                                                                    Проверил:

ст. гр. КИ-06-7                                                                              

Парченко П. В.                                                                             

Харьков 2008

Полупроводниковые диоды

Цель: Изучение основ работы с программным комплексом EWB. Исследование напряжения и силы тока разных типов диодов при прямом и обратном смещении p-n перехода. Построение и исследование вольтамперной характеристики (ВАХ) диода. Исследование сопротивления диода при прямом и обратном смещении по вольтамперной характеристике.

Ход работы

Параметры исследуемых диодов указаны в таблице 1.1

Таблица 1.1 – Начальные данные

Исследование обычного диода

Для исследования прямой ветвиВАХ диода собираем схему согласно рис.1.1. Последовательно устанавливая значения напряжения источника Е1 записываем значения напряжения U_пр и силы тока I_пр диода в таблицу  1.2.