Исследование вольтамперных характеристик полевых транзисторов

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ОБРАЗОВАНИЯ УКРАИНЫ

ХАРЬКОВСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

Отчет

по лабораторной работе № 3

по курсу «Компьютерная электроника»

Выполнил:                                                                                    Проверил:

ст. гр. КИ-06-7                                                                              Янковский А.А. 

Парченко П. В.                                                                              Чиженков Ю.Я. Стрелецкий И. Б.

Мамчич А. А.                                                                      

Харьков 2008

Исследование вольтамперных характеристик полевых транзисторов

Цель: Построение вольтамперных характеристик полевых транзисторов различных типов и изучение принципов их работы.

Ход работы

Параметры исследуемых диодов указаны в таблице 1.1

Таблица 3.1 – Начальные данные