Исследование вольтамперных характеристик полевых транзисторов, страница 4

Рисунок 3.4 Передаточные характеристики полевого транзистора I_С=f(U_ЗИ) при U_СИ=const

Исследование выходной характеристики МДП транзистора с индуцированным каналом

Рисунок 3.5 – Схема получения выходной ВАХ МДП для p- канальных транзисторов с индуцированным каналом:

Таблица 3.4 Соответствие силы тока стока I_С напряжению затвор-исток U_СИ при фиксированном значении напряжения  U_ЗИ для транзистора с каналом p- типа