Исследование входных, выходных и характеристик управления биполярного транзистора n-p-n –типа

Смолицкий В.                                     

Лабораторная работа №6

БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Исследование входных, выходных и характеристик управления биполярного транзистора n-p-n –типа, включенного по схеме с общим эмиттером.

Цель работы: Экспериментальное исследование и анализ входных, выходных и характеристик управления биполярного транзистора n-p-n –типа, включенного по схеме с общим эмиттером; определение по ним его h–параметров.

Исследование входных статических характеристик.

Рисунок 1 – Схема исследования биполярного транзистора

Рисунок 2 – Входные статистические характеристики

Входное сопротивление для U_к-э=4 В

h_11э  = DU_б-э  / DI_б, при U_к-э  = 4 В  

h_11э  = 0,1  / 21,6=0,005Ом

Исследование выходных статических характеристик.

Рисунок 3 – Схема исследования биполярного транзистора

Рисунок 4 – Выходные статистические характеристики

коэффициент усиления по току

h_21э  = b = DI_к  / DI_б, при U_к-э  = 12 В;

h_21э  = b = 2,2  / 0,1=22

выходная проводимость

h_22э  = DI_к / DU_к-э, при I_б  = 0,4 мкА;

h_22э  = 0,0004 /2=0,0002 См ,

выходное сопротивление

R_выx  = 1/ h_22,

R_выx  = 1/ 0,0002=5 кОм

Исследование характеристик управления.

Рисунок 5 – Схема исследования биполярного транзистора

Рисунок 6 – Характеристики управления I_к =  f (U_б-э), при U_к-э  = const.

Рисунок 7 – Схема исследования биполярного транзистора

Рисунок 8 – Характеристики управления I_к  =f (I_б), при U_к-э = const.

Вывод: Экспериментально исследовали и проанализировали входные, выходные и характеристики управления биполярного транзистора n-p-n –типа, включенного по схеме с общим эмиттером; определили по ним его h–параметры: Входное сопротивление для U_к-э=4 В h_11э=0,005Ом; коэффициент усиления по току h_21э=22; выходная проводимость h22э=0,0002 См; выходное сопротивление R_выx=5 кОм. Построенные входные, выходные и характеристики управления также подтверждают теоретические сведения о процессах в биполярных транзисторах.