Исследование полупроводникового диода: Методические указания по лабораторной работе по дисциплине "Электроника", страница 3

Значение напряжения батареи необходимо изменять с шагом в 100мВ до открытия диода, которое характеризуется увеличением тока свыше 1мА. В районе открытия и далее, до Imax (значение будет указано в окне 1 (рис.4)), шаг изменения напряжения следует выбрать 20мВ. Значения устанавливаемых напряжений в мВ и ток в мА вписываются в табл.1 в графы.

Рядом с таблицей указывается тип исследуемого диода. В примере на рис.4 это КД 522В.

Важно! При оформлении заготовки, типы исследуемых диодов на всех схемах к работе указывать не следует (так, как в Вашем варианте он скорее всего не совпадет с указанными в данных методических указаниях). Указываются лишь их позиционные обозначения (напр. VD1).

При оформлении же отчета, на всех схемах следует указать его тип. 

В программе Workbench приборы имеют автоматическое переключение пределов измерения и инженерное обозначение размерности. Расшифровка инженерной аннотации указана в табл.2. При записи результатов необходимо записывать значения либо в мА, либо рядов со значением указывать размерность

4.2. Снятие обратной ветви вольт-амперной характеристики полупроводникового диода.

Для выполнения данного пункта л.р. необходимо  открыть файл Эл.устр_1.2.ewb, находящийся в каталоге Workbench_5.0 по адресу Lab/Эл.устр/1/ Эл.устр_1.2.ewb.

Схема, содержащаяся в данном файле показана на рис 4.

Рис. 7

Как видно из схемы, в отличие от схемы, представленной на рис.4, анод диода подключен к отрицательному полюсу источника напряжения E1.

Перед проведением измерений необходимо задать внутреннее сопротивление вольтметра (теоретически чем оно больше, тем выше точность измерений). Для этого двойным нажатием левой кнопки мыши по изображению вольтметра открывается его окно свойств (см. рис.8).

Рис. 8

В окне 1 необходимо вписать значение внутреннего сопротивления вольтметра (10-15МОм) и нажать кнопку ok.

При помощи кнопки 7 (рис.4) запускается процесс моделирования.

В процессе выполнения данного пункта л.р. необходимо изменять напряжение источника напряжения E1, записывая в табл.2 показания вольтметра PV1. Измерение тока производится косвенным методом (путем оценки падения напряжения на известном сопротивлении R1).

Важно! После запуска процесса моделирования, показания вольтметра могут еще некоторое время изменятся. Необходимо дождаться, пока на вольтметре установится постоянное значение и записать его в табл.3.

Значения напряжений, для которых необходимо производить измерения, будут указаны в строке 10 (рис.4), появляющейся при открытии файла Эл.устр_1.2.ewb. Значения будут иметь следующий синтаксис: Vk = конечное значение; STEP = шаг изменения; V1 = первое дополнительное значение;  V2 = второе дополнительное значение.

Так, для диода KD 522B указано: Vk = 50V; STEP = 10V; V1 = 50.1V;  V2 = 50.2V. Т.о. напряжение следует изменять от 0V до 50V с шагом в 10V, а также дополнительно произвести измерения для двух значений: 50.1V и 50.2V.

4.3. Исследование частотных свойств полупроводниковых диодов.

Для выполнения данного пункта л.р. необходимо  открыть файл Эл.устр_1.3.ewb, находящийся в каталоге Workbench_5.0 по адресу Lab/Эл.устр/1/ Эл.устр_1.3.ewb.

Схема, содержащаяся в данном файле показана на рис 9.

Рис. 9

В процессе выполнения данного пункта л.р. необходимо изменять частоту генератора G1, устанавливая последовательно те частоты, которые будут указаны в окне 10 (рис.4), появляющимся  после открытия файла Эл.устр_1.3.ewb. наблюдая на экране осциллографа 2 (см. рис.9) формы напряжения на выходе генератора и нагрузке (резистор R1) для диодов VD1 и VD2.