случае же кристаллических решеток следует иметь в виду, что симметрия внешнего воздействия, вообще говоря, выше симметрии среды, которую она приобретает под воздействием. Так куб (группа m3m) под псевдоскалярным воздействием (группа ∞/∞2) приобретает симметрию 432, которая ниже симметрии воздействия. Бывает, что симметрия кристалла совпадает с симметрией воздействия, но никогда не бывает, чтобы симметрия кристалла была выше симметрии воздействия.
5.Анизотропия свойств кристалла. Тензорное описание свойств кристаллов. Указательная поверхность кристаллов.
Анизотропия свойств кристаллов означает различность свойств кристалла в различных направлениях. Анизотропия свойств- явление, вызванное в кристалле каким- либо воздействием, не совпадающим по направлению с этим воздействием Анизотропия свойств описывается с помощью тензоров. Тензор- математическая n-.мерная таблица, характеризующая анизотропные свойства кристалла. Симметрия структуры кристалла отражает симметрию его анизотропных свойств- это исходит из симметрии самого тензора.
Тензор
имеет определенное число компонент 
- ранг тензора. Если n=0, N=1-
скаляр, если n=1, N=3- вектор, если n=2, то N=9 –
тензор второго порядка и тд. В зависимости от структуры кристалла мы имеем
различные симметрии тензоров.
Важным параметром симметрии кристалла является указательная плотность. Указательная плотность показывает чему равно свойство кристалла в заданном направлении. Для этого измеряют искомое свойство, задавая вектор в различных направлениях.
Тензор второго порядка, например для диэлектрической проницаемости:
Из-за симметрии кристаллов часть
компонент тензора может обратиться в 0.Чем выше симметрия кристалла, тел число
независимых компонент меньше. Чем ниже симметрия кристалла, тем сложнее
анизотропия его свойств.
В тензоре 4-го порядка 81 компонента и измерить физические свойства трудно. Однако многие компоненты обратятся в 0 в силу законов термодинамики и симметрии кристаллов.
6.Дефекты структуры в кристаллах:
В реальных кристаллах многие свойства существенно зависят не только от типа равновесной кристаллической структуры, но и от дефектов этой структуры- нарушений периодичности и равновесия.
Дефекты структуры обусловлены изменением расстояний частицы до ближайших соседей, отсутствием атома (иона) в каком-либо узле решетки, смещение атома или иона из узла в междоузлие, временными местными нарушениями структуры, вызванными видимым, рентгеновским и гамма-излучениями, потоком альфа-частиц или нейтронов.
Классификация дефектов:
Точечные или нуль-мерные дефекты- нарушение периодичности в изолированных друг от друга точках решетки. Во всех трех измерениях они не превышают одного или нескольких межатомных расстояний (параметров решетки). Точечные дефекты- это вакансии, атомы в междоузлиях, атомы в узлах «чужой» подрешетки, примесные атомы в узлах или междоузлиях.
Линейные дефекты (дислокации)- одномерные, то есть протяженные в одном измерении: нарушение периодичности в одном измерении простираются на расстояния
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.
