Исследование характеристик БИС и СБИС

2 страницы (Word-файл)

Лабораторная работа №1

По дисциплине:

«Конструкторско-технологическое обеспечение производства ЭВМ»

Тема: «Исследование характеристик БИС и СБИС

и параметров ячеек ЭВМ на их основе»

1а – Исследование зависимости характеристик БИС и СБИС от уровня микроэлектронной технологии и типа схемотехники.

Параметры	Тип логики: ТТЛ МЛР, мкм:
Параметры	1	2	3	4	5
Степень интеграции БИС, ЭЛЭ	16000	4000	1778	1000	640
Рассеиваемая крист. мощн., Вт	4.00	2.00	1.33	1.00	0.80
Задержки на лог, элементах, нс	0.75	1.50	2.25	3.00	3.75
Задержка в связях кристалла, нс	0.82	0.32	0.19	0.13	0.09
Число требуемых выводов кристалла	253	126	84	63	51
Выход годных кристаллов	0.015687	0.090947	0.143961	0.176657	0.198167
Стоимость БИС, усл.ед.	56.0	10.5	7.0	5.9	5.4
Стоимость 1 ЛЭ БИС, усл.ед	0.0035	0.0026	0.0039	0.0059	0.0084
Интенсивность отказов, 1/ч	0.0000186	0.0000032	0.0000018	0.0000013	0.0000012