ВЫВОД: в зависимости выбранного МЛР зависит степень интеграции БИС и как следствие изменяется рассеиваемая мощность кристалла (чем больше степень, тем больше мощность), стоимость БИС (чем больше степень, тем больше стоимость БИС), задержки в связях кристалла (чем больше степень, тем больше задержка), интенсивность отказов (чем больше степень, тем больше интенсивность). И наоборот чем больше степень, тем меньше задержки на логических элементах, также, чем больше степень, тем меньше выход годных кристаллов.
При проведении исследований зависимости параметров от типа схемотехники лучшей оказалась nМОП логика.
1б – Компоновка функциональных узлов (ячеек) ЭВМ на БИС и СБИС и исследование значений параметров узлов.
Параметры устройств |
Варианты расчета конструкций блоков |
|||||
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
|
Параметры БИС: Тип логики |
ТТЛ |
ТТЛШ |
кМОП |
ТТЛ |
ТТЛШ |
Кмоп |
Мин. Литогр. размер, мкм |
1.0 |
1.0 |
1.0 |
2.0 |
2.0 |
2.0 |
Степень интеграции БИС, ЭЛЭ |
16000 |
16000 |
16000 |
4000 |
4000 |
4000 |
Тип корпуса БИС |
61 |
61 |
61 |
61 |
61 |
61 |
Число выводов корпуса БИС |
256 |
256 |
256 |
144 |
144 |
144 |
Параметры ячейки: Число корпусов БИС на ПП |
2 |
2 |
2 |
5 |
5 |
5 |
Число внешних выводов в ячейке |
363 |
363 |
363 |
323 |
323 |
323 |
Размеры ПП, мм |
5550 |
5550 |
5550 |
8880 |
8880 |
8880 |
Число сигнальных слоев в ПП |
4 |
4 |
4 |
3 |
3 |
3 |
Тип плотности ПМ |
высокая |
высокая |
высокая |
высокая |
высокая |
высокая |
Рабочая площадь ПП, мм2 |
4995 |
4995 |
4995 |
7792 |
7792 |
7792 |
Площадь ПМ на 1 слой ПП, мм2 |
4012 |
4012 |
4012 |
7544 |
7544 |
7544 |
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.