Исследование характеристик БИС и СБИС, страница 3

ВЫВОД: в зависимости выбранного МЛР зависит степень интеграции БИС и как следствие изменяется рассеиваемая мощность кристалла (чем больше степень, тем больше мощность), стоимость БИС (чем больше степень, тем больше стоимость БИС), задержки  в связях кристалла (чем больше степень, тем  больше задержка), интенсивность отказов (чем больше степень, тем больше интенсивность).  И наоборот  чем больше степень, тем меньше задержки на логических элементах, также, чем больше степень, тем меньше выход годных кристаллов.

При проведении исследований зависимости параметров от типа схемотехники лучшей оказалась  nМОП  логика.

1б – Компоновка функциональных узлов (ячеек) ЭВМ на БИС и СБИС и исследование значений параметров узлов.

Таблица значений параметров

Параметры устройств

Варианты расчета конструкций блоков

1

2

3

4

5

6

Параметры БИС:

Тип логики

ТТЛ

ТТЛШ

кМОП

ТТЛ

ТТЛШ

Кмоп

Мин. Литогр. размер,     мкм

1.0

1.0

1.0

2.0

2.0

2.0

Степень интеграции БИС,   ЭЛЭ

16000

16000

16000

4000

4000

4000

Тип корпуса БИС

61

61

61

61

61

61

Число выводов корпуса БИС

256

256

256

144

144

144

Параметры ячейки:

Число корпусов БИС на ПП

2

2

2

5

5

5

Число внешних выводов в ячейке

363

363

363

323

323

323

Размеры ПП,                       мм

5550

5550

5550

8880

8880

8880

Число сигнальных слоев в ПП

4

4

4

3

3

3

Тип плотности ПМ

высокая

высокая

высокая

высокая

высокая

высокая

Рабочая площадь ПП,            мм2

4995

4995

4995

7792

7792

7792

Площадь ПМ на 1 слой ПП, мм2

4012

4012

4012

7544

7544

7544