Измерение параметров и характеристик радиотехнических цепей: Руководство к лабораторной работе, страница 18

В общем случае желательно, чтобы резонансная частота конденсатора намного превышала рабочую частоту схемы. Однако для конденсаторов с высокой ёмкостью достичь этого довольно трудно.

Одно из простых решений этой задачи заключается в присоединении небольших высококачественных конденсаторов параллельно крупным конденсаторам. Такой метод способствует также компенсации возрастания последовательного сопротивления Rs по мере старения оксидного конденсатора и тем самым поддержанию фильтрующей эффективности схемы. Для фильтрации СВЧ-помех можно воспользоваться проходными конденсаторами, монтируемыми в экранах для создания необходимой развязки между входом и выходом.

На рис. П3.5 приведена эквивалентная модель реальных катушек индуктивности с сосредоточенным импедансом, где   L - номинальная индуктивность,  R_s - последовательное сопротивление (витков и проводников),  R_p – сумма сопротивлений утечки (диэлектрика) и сердечника,   C_р - паразитная ёмкость катушки.

(Следует иметь в виду, что неэкранированные катушки индуктивности с незамкнутым магнитопроводом сердечника являются прекрасными антеннами для магнитных полей).

Импеданс катушки индуктивности определяется выражением

Z = 1 / [1/(R_s+ jω L) + 1/R_p + jω C_р].

Рис. П3.5. Модель с сосредоточенными параметрами

для реальных катушек индуктивности

На рис. П3.6 показаны типичные кривые зависимости импеданса реальных катушек индуктивности от частоты. (Обратите внимание на их сходство с кривыми импеданса для низкоомных резисторов на рис П3.2).

Рис. П3.6. Типичные кривые зависимости импеданса реальных

катушек индуктивности от частоты

Если значение R_p очень велико, а  значение R_s очень мало,  то приближенные выражения для импеданса будут иметь вид:   

| Z |  ≈  R_s                          при   ω  <  R_s/ωL;     | Z |  ≈  ωL             при   R_s/ωL  ≤  ω  <  ω_о/3;

| Z |  ≈  при   ω  =  ω_о;           | Z |  ≈  1/(ωC_р)      при  ω  >  3 ω_о ,

где  ω_о =  (L C_р) ^-1/2_.

У стандартных высокочастотных дросселей сопротивление витков R_s = (0,2 … 5) Ом, а паразитная ёмкость C_р = (1,5 … 4) пФ.  У катушек индуктивности для поверхностного монтажа сопротивление витков R_s < 10 Ом, а паразитная ёмкость C_р = (0,2… 20) пФ.

Приложение 4

Бланк отчета о выполнении лабораторной работы

Кафедра ТОР

Метрология и радиоизмерения

О Т Ч Е Т

ПО  ЛАБОРАТОРНОЙ  РАБОТЕ  № 4

ИЗМЕРЕНИЕ  ПАРАМЕТРОВ  И  ХАРАКТЕРИСТИК

РАДИОТЕХНИЧЕСКИХ  ЦЕПЕЙ

   Работу выполнил:

   студент   ____________________    (группа _________)      ________        _______

                                    (Ф.И.О.)                    ( № группы)       (Подпись)        (Дата)

   Работу принял:   преподаватель        ______________          ____________      _______

                                                                         (Ф.И.О.)                  (Подпись)           (Дата)