Измерение параметров и характеристик радиотехнических цепей: Руководство к лабораторной работе, страница 16

Представленное семейство кривых имеет две особенности: импеданс высокоомных резисторов вначале не зависит от частоты, а затем уменьшается; импеданс низкоомных резисторов вначале не зависит от частоты, потом резко возрастает, образуя пик, и затем уменьшается. Границей между высокоомными и  низкоомными сопротивлениями является значение

R_c ≈ 1,55·(L_s / C_р)^1/2.

Для высокоомных резисторов (R  R_c) приближенные выражения для импеданса будут иметь вид:

| Z | ≈ R    при ω  <  1/(R C_р);         | Z |  ≈ 1/(ω C_р)    при ω  >  1/(R C_р).

Для низкоомных резисторов (R < R_c)  на частоте ω_о = (L_s C_р)^-1/2 возникает резонанс. Приближенные выражения для импеданса будут иметь вид:

| Z |  ≈ R                   при   ω  <  R/L_s ;          | Z | ≈ ω L_s            при   R/L_s  <  ω  <  ω_о/3;

| Z |  = L_s/(R C_p)^-1    при   ω  =  ω_о;               | Z |  ≈ 1/(ω C_р)     при ω  >  3 ω_о.

В таблице П3.1 приведены значения паразитных составляющих и собственных резонансных частот чаще всего используемых резисторов.

Параметры резисторов                               Таблица П3.1