Устаткування для проведення процесу фотолітографії

2.5 Устаткування для проведення процесу фотолітографії

Технологічне обладнання, що використовується для проведення процесу фотолі­тографії повинно забезпечувати достатню чистоту, щоб не вносити домішок до напівпрові­дникової пластини. Обладнання, що використовується при проведенні процесу фотолітог­рафії, приведене в таблиці 4.

Таблиця 4 - Обладнання, що використовується при проведенні процесу фотоліто­графії

   Продовження таблиці № 4

Звичайна|звична| контактна фотолітографія із застосуванням установок суміщення|сполучення| і експонування вже протягом тривалого часу є|з'являється,являється| основним технологічним методом виробництва напівпровідникових приладів. У всіх трьох варіантах цього методу фотошаблон розташований|схильний| поряд з|поряд із| пластиною, а за ним поміщено джерело ультрафіолетового світла. Дозволяюча здатність дуже висока тільки|лише| в тому випадку, якщо|у тому випадку , якщо,в том случае | шаблон і пластина знаходяться|перебувають| в щільному контакті, але|та| при цьому виникає багато дефектів, наприклад пошкодження|ушкодження| твердими частинками|частками,часточками|, відшарування, тріщин плівок фоторезисту, подряпання шаблонів і так далі. Схема суміщення|сполучення| показана на рис. 4,а. Якщо притиск м'який, то ці дефекти зводяться до мінімуму|мінімум-ареалу|, але|та| дозволяюча здатність погіршується.

Рисунок 4 – Схема суміщення та експонування: а – суміщення; б – контактне експонування; в – експонування з зазором; 1 – мікроскоп; 2 – фотошаблон; 3 – фоторезист; 4 – подложка; 5 – столік; 6 – джерело випромінювання; 7 - конденсор

Контактна фотолітографія з зазором (рис. 4, в), при якій фотошаблон і пластина розташовані|схильні| на деякій відстані один від одного, дозволяє ще більше зменшити кількість дефектів, але|та| при цьому відбувається|походить| подальше|дальше| погіршення роздільної здатності. При використанні фотолітографії із|із| зазором форма елементів може викривлятися в результаті|унаслідок,внаслідок| дифракції світла, що проходить через шаблон. Величина цих викривлень залежить від фактичної зміни зазору за площею пластини. Для того, щоб позбутися від цих труднощів, була запропонована проекційна фотолітографія (рис. 5). При отриманні|здобутті| зображення методом проекційної фотолітографії пластину і шаблон розміщують на значній відстані один від одного. Промислове застосування|вживання| методу почалося з використання статичних систем з|із| лінзами, призначеними для одночасного експонування всієї площі|майдану| пластини. Проте|однак| подальший|дальший| розвиток методу проекційної фотолітографії був обмежений із-за неможливості виготовлення системи заломлюючої оптики що дозволяє обробляти пластини діаметром   більше 60 мм.

Рисунок 5 – Схема проекційної фотолітографії: а – суміщення; б – експонування; 1 – мікроскоп; 2 – фотошаблон; 3 – об’єктив; 4 – фоторезист; 5 – підложка; 6 – столик; 7 – джерело випромінювання; 8 – конденсор; 9 – фільтр