Тест по дисциплине "Физические основы микроэлектроники" (Изменение удельного электрического сопротивления собственного полупроводника с ростом температуры. Выражение для определения тока через диод)

ТЕСТ: «Физические основы микроэлектроники»

1.  Как изменится удельное электрическое сопротивление собственного полупроводника с ростом температуры?

1.1.  увеличится

1.2.  уменьшится

1.3.  не изменится

2.  От чего зависит удельная электропроводимость примесных полупроводников при постоянной (300 К) температуре?

2.1.  от концентрации примеси

2.2.  от полярности приложенного напряжения

2.3.  от ширины запрещенной зоны

2.4.  от валентности примеси

3.  Какой полупроводник имеет большее удельное электрическое сопротивление?

3.1.  примесный n-типа

3.2.  примесный p-типа

3.3.  компенсированный

3.4.  собственный

4.  Чем определяется собственная концентрация носителей заряда при T=const?

4.1.  шириной запрещенной зоны

4.2.  типом проводимости

4.3.  положением уровня Ферми

5.  В каком полупроводнике собственная концентрация носителей заряда выше, если Eg(Ge)=0,66 эВ, Eg(Si)=1,12 эВ, Eg(GaAs)=1,44 эВ?

5.1.  Ge

5.2.  Si

5.3.  GaAs

6.  Какую часть электрического тока переносят дырки в собственном полупроводнике, если подвижность электронов в 3 раза больше, чем дырок?

6.1.  2/3

6.2.  1/3

6.3.  1/4

6.4.  3/4

7.  В каком полупроводнике при Т=300 К удельное сопротивление большее?

7.1.  в собственном

7.2.  в слаболегированном р-типа

7.3.  в слаболегированном n-типа

8.  Расположить в порядке возрастания значения работ выхода в собственном (Фi), электронном (Фn)и дырочном полупроводниках (Фp).

8.1.  Фn>Фp>Фi

8.2.  Фi>Фp>Фn

8.3.  Фp>Фi>Фn

8.4.  Фp>Фn>Фi

9.  Где располагается уровень Ферми в невырожденном дырочном полупроводнике?

9.1.  посередине запрещенной зоны

9.2.  в валентной зоне

9.3.  в зоне проводимости

9.4.  в запрещенной зоне у потолка валентной зоны

9.5.  в запрещенной зоне у дна зоны проводимости

10.  К чему стремится уровень Ферми в полупроводнике n-типа с ростом температуры?

10.1.  к потолку валентной зоны

10.2.  к дну зоны проводимости

10.3.  к середине запрещенной зоны

11.  Как изменится вероятность нахождения электрона на энергетическом уровне Е, меньшем энергии Ферми, при увеличении температуры?

11.1.  уменьшится

11.2.  увеличится

11.3.  не изменится

12.  Как изменится вероятность нахождения электрона на энергетическом уровне Е, большем энергии Ферми, при увеличении температуры?

12.1.  уменьшится

12.2.  увеличится

12.3.  не изменится

13.  Как изменится вероятность нахождения электрона на энергетическом уровне Е, равном энергии Ферми, при увеличении температуры?

13.1.  уменьшится

13.2.  увеличится

13.3.  не изменится

14.  В каком полупроводнике удельная электропроводность выше?

14.1.  в компенсированном

14.2.  в собственном

15.  При каких условиях удельное сопротивление полупроводников будет возрастать при нагревании?

15.1.  при возникновении собственной проводимости

15.2.  при полной ионизации примеси в примесном полупроводнике

15.3.  на участке примесной проводимости при частичной ионизации примеси

16.  Как изменяется напряжение туннельного пробоя с ростом температуры?

16.1.  увеличивается

16.2.  уменьшается

16.3.  не изменяется

17.  Для несимметричного p+n перехода определить, какими носителями в основном определяется обратный ток насыщения.

17.1.  дырками, движущимися из p-области в n-область

17.2.  дырками, движущимися из n-области в p-область

17.3.  электронами, движущимися из p-области в n-область

17.4.  электронами, движущимися из n-области в p-область

18.  Как изменится прямой ток через p-n переход при увеличении концентрации примеси?

18.1.  увеличивается

18.2.  уменьшается

18.3.  не изменится

19.  В каком несимметричном переходе p+n или n+p ,будет больше обратный ток при одинаковых концентрациях в базовых и эмиттерных областях?

19.1.  p+n

19.2.  n+p

19.3.  токи одинаковы

20.  Как изменится потенциальный барьер p-n перехода при увеличении концентрации примеси?

20.1.  увеличивается

20.2.  уменьшается

20.3.  не изменится

21.  Как изменится потенциальный барьер p-n перехода при увеличении температуры?

21.1.  увеличивается

21.2.  уменьшается

21.3.  не изменится

22.  P-n переход имеет концентрации примесей в p-области Na=10¹⁶ см^-3, в n-области Nd=3*10¹⁶ см^-3. Как соотносятся размеры |Xn| и |Xp|?

22.1.  |Xn|=3*|Xp|

22.2.  |Xp|=3*|Xn|

22.3.  |Xn|=4*|Xp|

22.4.  |Xp|=4*|Xn|

23.  Какими носителями заряда образована область пространственного заряда в p-n переходе в состоянии термодинамического равновесия, если примеси полностью ионизированы?

23.1.  электронами, перешедшими из n-области в p-область и дырками, перешедшими из p-области в n-область

23.2.  ионизированными акцепторами и электронами в p-области и ионизированными донорами и дырками в n-области

23.3.  ионизированными акцепторами в p-области и ионизированными донорами в n-области

24.  Определить условие, при котором уровень Ферми в собственном полупроводнике не зависит от температуры.

24.1.  эффективная масса электрона больше эффективной массы дырки

24.2.  эффективная масса электрона равна эффективной массе дырки

24.3.  эффективная масса электрона меньше эффективной массы дырки

24.4.  эффективная масса плотности состояний электрона равна эффективной массе плотности состояний дырки