Проектирование схемы передатчика производственной связи с определёнными электрическими параметрами. Полная принципиальная схема рассчитанных каскадов передатчика с элементами цепей питания, страница 4

Коэффициент разложения:

напряжение запирания АЭ;

напряжение отсечки;

7.  Из Приложения №1 «Коэффициенты разложения для косинусоидального импульса» [4, стр.292] находим значение коэффициента  и значение косинуса угла отсечки , что соответствует углу отсечки в .

8.  Амплитуда тока базы:

9.  Модуль усиления по току, приведённые к ЭГ:

10.Пиковое обратное напряжение на эмиттере:

11.Составляющие входного сопротивления транзистора первой гармонике:

 

12. Коэффициент усиления по мощности:

13.Постоянная составляющая коллекторного тока, мощность потребляемая от источника питания, КПД коллектора:

14.Входная и рассеиваемая мощность:

15.Составляющие сопротивления нагрузки, приведённые к внешнему выводу коллектора в параллельном эквиваленте:

3.  Электрический расчёт предвыходного каскада передатчика.

Справочные данные транзистора  2Т 925 А, используемого в выходном каскаде:

Тип транзис- тора	Параметры идеализированных статических характеристик					Высокочастотные параметры
	rнас(rнасВЧ)    Ом	,Ом	rЭ, Ом	Rу э, кОм		, МГц	СК,пФ (при ЕК,В)	СЭ,пФ (при ЕЭ,В)	,пс (при ЕК,В)
2Т 925 В	0.3 (0,35)			0,7	17… 150	500… 1500	32…      60 (12,6)		12… 40 (10)

			Допустимые параметры
LЭ, нГн	LБ, нГн	LК, нГн	UКБ ДОП (UКБ ИМП), В	UКЭ ДОП (UКЭ ИМП), В	UБЭ ДОП , В	IК0 ДОП (IК МАКС ДОП), А	IБ0 ДОП (IБ МАКС ДОП), А	Диапазон рабочих частот, МГц
1,0	2,4	2,4	36	36	3,5	3,3 (8,5)		200…400

Тепловые параметры		Экспериментальные показатели
tП ДОП	RПК, Вт	f, МГц	PВЫХ, Вт	КР, в разах	, %	ЕК,В
150	4,4	320	20	3,0…4,0	60…84	12.6

Расчёт электрических параметров усилителя мощности реализованного на транзисторе  2Т 934 Б ведётся согласно предложенному порядку в [4, стр.52].Для минимизации записи численной формулы вводим:

 

1.  Сопротивление потерь коллектора в параллельном эквиваленте:

2.  Коэффициент использование коллекторного напряжения в граничном режиме:

Физическое значение составляющих в формуле:

,параметры транзистора соответствующие типовому режиму;

3.  Напряжение и первая гармоника тока нагрузки, приведённые к эквивалентному генератору (ЭГ):

4.  Полезная нагрузка и полное сопротивление, приведённые к ЭГ:

5.  Амплитуда первой гармоники тока ЭГ:

6.  Вспомогательные параметры.

Крутизна по переходу:

Сопротивление рекомбинации:

сатический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ. Для СВЧ усилителей может лежать в пределах от 10 до 100.

Крутизна статической характеристики коллекторного тока:

Коэффициенты разложения для первой гармоники тока ЭГ:

ёмкость эмиттерного перехода выбрана в соответствии с рекомендациями, что ёмкость эмиттерного перехода превышает в 510

раз ёмкость коллекторного перехода;

Коэффициент разложения:

напряжение запирания АЭ;

напряжение отсечки;

7.  Из Приложения №1 «Коэффициенты разложения для косинусоидального импульса» [4, стр.292] находим значение коэффициента  и значение косинуса угла отсечки , что соответствует углу отсечки в .

8.  Амплитуда тока базы:

9.  Модуль усиления по току, приведённые к ЭГ:

10.  Пиковое обратное напряжение на эмиттере:

11.  Составляющие входного сопротивления транзистора первой гармонике:

 

12.   Коэффициент усиления по мощности:

13.  Постоянная составляющая коллекторного тока, мощность потребляемая от источника питания, КПД коллектора: