где коэффициент , согласно (26), должен зависеть от n
и
. Усреднение выражения (35) по
невозмущенным волновым функциям (полученным в нулевом приближении) приводит к
тому, что среднее значение
направлено по
-полному спину атома, а
— по
-полному
моменту. В результате получим:
, (36)
где А — постоянная для данного терма, зависящая только от L и S, но не зависящая от полного момента J. Аналогично (26) имеем:
. (37)
Таким
образом, в результате релятивистских эффектов уровень с данными значениями L
и S расщепляется на ряд уровней с различными значениями J. Об
этом расщеплении говорят как о тонкой структуре или мультиплетном расщеплении
уровня. Известно, что J пробегает значения от L + S
до , поэтому уровень с данным L и S
расщепляется на 2S + 1 (если L > S) или 2L+ 1
(если S > L) различных уровней. Каждый из этих уровней
остается вырожденным относительно направления
, т.е. 2J +
1 раз.
Важно, что
мультиплетное расщепление уровней с разными J происходит на фоне
электростатического взаимодействия, величина которого зависит от значений
орбитального момента L и спина S. В качестве примера,
демонстрирующего как электростатическое, так и релятивистское электромагнитное
взаимодействие, на рис. 4 приведена схема уровней трехзарядного иона хрома
, имеющего на своей верхней (3d) оболочке
3 электрона. Его основным термом является
, т.е. L = 3
и S = 3/2. Возможные значения J = 9/2; 7/2; 5/2
и 3/2 (от J = L + S до J = L - S).
Мультиплетное расщепление показано на рис. 4. На этом же рисунке показан
терм
с L = 1 и S =
3/2. Различие энергии термов
и
обусловлено электростатическим
взаимодействием, которое в ~ 40 раз превышает спин-орбитальное. Терм
может иметь J = 1/2; 3/2 и 5/2
и расщепляется на три подуровня.
Необходимо отметить, что точность выполнения рассмотренных закономерностей мультиплетного расщепления может быть легко проверена экспериментально. Формула (36), с учетом (37), определяет добавку к энергии невозмущенного состояния. Поэтому расстояние между соседними подуровнями с различными J определяется выражением
. (38)
Соотношение (38) является правилом интервалов. Причем, отношение двух интервалов уже не зависит от трудно определяемой константы А
. (39)
Например, рассмотрим терм (S =2 и L =2),
для которого J может принимать значения J = 0,1; 2; 3; 4.
Интервалы будут относиться
;
;
.
Это обусловлено следующим.
Изложенная в данном разделе схема построения атомных уровней основана на
представлении, что в нулевом приближении можно ввести понятие орбитального
момента электронов , которые складываясь определяют
полны момент
, а спины
определяют
полный
. Такое рассмотрение возможно при условии
малости релятивистских эффектов, т.е. малости мультиплетного расщепления по
сравнению с разностью уровней с различными
и
. Это приближение называется
рассель-саудоровским или (
-
) типом связи.Эта схема сложения моментов
предполагает что взаимодействие орбитальных моментов между собой и спиновых
моментов между собой намного больше, чем взаимодействие спина и орбитального
момента каждого электрона. Важно отметить, что зависимость энергии как от
, так и от
определяется
электростатическим взаимодействием, что было продемонстрировано ранее при
анализе энергетических уровней атома гелия (см. раздел 1.2).
У тяжелых атомов
может реализоваться противоположный предельный случай, когда энергия
спин-орбитального злектромагнитного взаимодействия становиться больше изменения
электростатической энергии в зависимости от и
. В этом случае нельзя говорить о
и
в отдельности.
Строго говоря, сохраняется только
- полный момент атома
как замкнутой системы. Сильное спин-орбитальное взаимодействие для каждого
электрона приводит к тому, что каждый электрон характеризуется момметом
, которые складываясь, образуют полный
момент. Например терм атома для случая двух электронов обозначается символом
.
Сравнение с экспериментом показывает, что правило интервалов, например, для атомов Mg, Ca, Sr, Zn, выполняется с точностью до 2,5 %, тогда как для тяжелых элементов, например Hg, точность уменьшается до ~ 30%.
|
Уровни
соответствуют системе трех электронов в 3d-оболочке. Расщепление между термами и
связано
с электростатическим отталкиванием между электронами. Расщепления между
уровнями с различными значениями J в пределах каждого терма вызваны
спин - орбитальным взаимодействием.
Энергетический
диапазон между термами электронной конфигурации составляет
14000 - 37000
. Следующие уровни,
принадлежащие электронной конфигурации 3d24s,
расположены выше на 100000
.
Расмотрим случай одного р- и одного d- электронов, тогда получим
;
и т. д.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.