Другие предметы \ Физические основы информационных технологий

Лазеры с вертикальным резонатором на основе квантовых ям, страница 11

Таблица 2. Описание структуры ЛВР-1.

Состав: Al_xGa_1-_xAs In_yGa_1-_yAs	Толщина слоя, нм	Легирование	Температура роста, С	Примечание
Конец структуры
x=0	47	Be:1e19	T=480
Конец периода
x=0	56	Be:1e18	T=480
x=0.45	15	Be:5e18	T=480
x=0.9	65	Be:1e18	T=480
x=0.45	15	Be:1e18	T=480
Начало периода				20 периодов
x=0	56	Be:1e18	T=480
x=0.45	15	Be:5e18	T=480
x=1	66	Be:1e18	T=480	апертура
x=0.45	15	Be:1e18	T=480
x=0.39	106	нет	T=520
x=0	10	нет	T=520
y=0.2	8	нет	T=520	КЯ
x=0	10	нет	T=520
y=0.2	8	нет	T=520	КЯ
x=0	10	нет	T=520
y=0.2	8	нет	T=520	КЯ
x=0	10	нет	T=520
x=0.39	106	нет	T=580
x=0.45	15	Si: 1e18	T=580
x=0.9	65	Si: 1e18	T=580
x=0.45	15	Si: 5e18	T=580
Конец периода
x=0	56	Si: 1e18	T=580
x=0.45	15	Si: 1e18	T=580
x=0.9	65	Si: 1e18	T=580
x=0.45	15	Si: 5e18	T=580
Начало периода				22 периода
Буфер	~300	Si: 2e18	T=580
GaAs (001) подложка		n-тип

Таблица 3. Описание структуры ЛВР-2.

Состав: Al_xGa_1-_xAs In_yGa_1-_yAs	Толщина слоя, нм	Легирование	Примечание
Конец структуры			S толщина = 5165nm
X=0	42	нет	l»930.3нм
Конец периода
X=0	56	нет
X=0.2	10	Нет	Подлежит окислению
X=0.94⁽^A⁾	136	Нет	Подлежит окислению
X=0.2	10	Нет	Подлежит окислению
Начало периода		Нет	5периодов⁽^A⁾
X=0	47	Нет
X=0	48	Be: 1e19
X=0	193	Be: 1e18
X=0.9	40	Be: 2e18	Подлежит окислению
X=1.0	10	Be: 2e18	Подлежит окислению
X=0.9	10	Be: 2e18	Подлежит окислению
X=0	38	Нет
Y=0.2^(A)	8⁽^A⁾	Нет	КЯ
X=0	60	Нет
X=1.0	2.26	Si: 2e18	8 ML AlAs
X=0	62	Si: 1e17
Конец периода
X=1.0	79	Si: 2e18
X=0	65	Si: 2e18
Начало периода			25периодов⁽^A⁾
Буфер	~500	Si: 2e18
GaAs (001) подложка.		n-тип	(A)– варьируемый параметр

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

Скачать файл

Уважаемый посетитель!

Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).

Ссылка на скачивание - внизу страницы.