Другие предметы \ Физические основы информационных технологий

Лазеры с вертикальным резонатором на основе квантовых ям, страница 10

рис.4


Рис.5


 


Рис.6


.     Ti/Au  контакт и зеркало  p-зеркало

 


   . SiO2 AlOx

                                                                                                        апертура        

 


 

 


           Активная           An-зеркало

область

              n-GaAs                 

                                 

просветляющее           Ge/Au/Ni/Au контакт

   покрытие               


Рис. 7

Рис.8


Рис.9

Рис.10

Рис.11

Рис.12

Рис.13

Рис.14

Рис.15


 


Рис.16


Рис.17


Рис.18

 


Рис.19


Рис.20


Рис.21

Рис.22


Рис.23

Рис.24

Рис.25


Таблица 1.  Описание ЛВР структуры на основе GaAs квантовых ям.

Состав: AlxGa1-xAs

Толщина слоя, нм

Легирование

Примечание

Конец структуры

S толщина = 8443nm

X=0

5 (A)

C:(2÷3)e19

S 262  слоя

X=0.15

15 (A)

C:(2÷3)e19

X=0.15

26 (A)

C:2e18

X=0.92 ÷ X=0.15

16

C:5e18

X=0.92

53

C:2e18

X=0.15 ÷ X=0.92

16

C:5e18

Конец периода

X=0.15

46

C:2e18

X=0.92 ÷ X=0.15

16

C:5e18

X=0.92

53

C:2e18

X=0.15 ÷ X=0.92

16

C:5e18

Начало периода

24 периода

X=0.15

46

C:2e18

X=0.92 ÷ X=0.15

16

C:5e18

X=0.98

53

C:2e18

Апетурный слой

X=0.5 ÷ X=0.92

8

C:5e18

X=0.5

74 (A)

нет

X=0.22

30

нет

X=0

8   (A)

нет

КЯ

X=0.22

10

нет

X=0

8   (A)

нет

КЯ

X=0.22

10

нет

X=0

8   (A)

нет

КЯ

X=0.22

30

нет

X=0.5

74 (A)

нет

X=0.92 ÷ X=0.5

8

Si: 4e18

X=0.92

53

Si: 2e18

X=0.15 ÷ X=0.92

16

Si: 4e18

X=0.15

46

Si: 2e18

Конец периода

X=0.92 ÷ X=0.15

16

Si: 4e18

X=0.92

53

Si: 2e18

X=0.15 ÷ X=0.92

16

Si: 4e18

X=0.15

46

Si: 2e18

Начало периода

35 периодов

X=0.92 ÷ X=0.15

16

Si: 4e18

X=0.92

53

Si: 2e18

X=0 ÷ X=0.92

18

Si: 4e18

GaAs буфер

~300

Si: 2e18

GaAs (001) подложка

n-тип

  (A)– варьируемый параметр
Скачать файл