Для расчета проводимости полупроводника используем формулу:
где S=1мм•2мм=2мм2, L – расстояние между потенциальными контактами образца, L=2,1мм. U/I – коэффициент наклона ВАХ. Рассчитанное значение удельной проводимости при комнатной температуре:
Коэффициент наклона прямой, построенной методом наименьших квадратов по зависимости ln(σ) от (1/T), равен Eg/2k. Тогда искомая ширина запрещенной полосы для данного полупроводника Eg=2•1,38•10-23•6225=1,718•10-19Дж=1,07эВ (для кремния из таблиц 1,14эВ)
Рассчитаем собственную концентрацию электронов и дырок (в равновесном состоянии) при T=293К = 20C:
Найдем подвижность электронов и дырок, используя соотношение Эйнштейна и справочные данные для диффузии электронов Dn=34см2/c и дырок Dp=13см2/c в кремнии:
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.
