Вольтамперная характеристика и определение проводимости. Температурная зависимость проводимости полупроводника

Страницы работы

Уважаемые коллеги! Предлагаем вам разработку программного обеспечения под ключ.

Опытные программисты сделают для вас мобильное приложение, нейронную сеть, систему искусственного интеллекта, SaaS-сервис, производственную систему, внедрят или разработают ERP/CRM, запустят стартап.

Сферы - промышленность, ритейл, производственные компании, стартапы, финансы и другие направления.

Языки программирования: Java, PHP, Ruby, C++, .NET, Python, Go, Kotlin, Swift, React Native, Flutter и многие другие.

Всегда на связи. Соблюдаем сроки. Предложим адекватную конкурентную цену.

Заходите к нам на сайт и пишите, с удовольствием вам во всем поможем.

Содержание работы

Вольтамперная характеристика и определение проводимости

Для расчета проводимости полупроводника используем формулу:

где S=1мм•2мм=2мм², L – расстояние между потенциальными контактами образца, L=2,1мм. U/I – коэффициент наклона ВАХ. Рассчитанное значение удельной проводимости при комнатной температуре:

Температурная зависимость проводимости полупроводника

Коэффициент наклона прямой, построенной методом наименьших квадратов по зависимости ln(σ) от (1/T), равен E_g/2k. Тогда искомая ширина запрещенной полосы для данного полупроводника E_g=2•1,38•10^-23•6225=1,718•10^-19Дж=1,07эВ (для кремния из таблиц 1,14эВ)

Рассчитаем собственную концентрацию электронов и дырок (в равновесном состоянии) при T=293К = 20C:

Найдем подвижность электронов и дырок, используя соотношение Эйнштейна и справочные данные для диффузии электронов D_n=34см²/c и дырок D_p=13см²/c в кремнии: