Вольтамперная характеристика и определение проводимости. Температурная зависимость проводимости полупроводника

Страницы работы

2 страницы (Word-файл)

Содержание работы

Вольтамперная характеристика и определение проводимости

Для расчета проводимости полупроводника используем формулу:

где S=1мм•2мм=2мм2, L – расстояние между потенциальными контактами образца, L=2,1мм. U/I – коэффициент наклона ВАХ. Рассчитанное значение удельной проводимости при комнатной температуре:

Температурная зависимость проводимости полупроводника

Коэффициент наклона прямой, построенной методом наименьших квадратов по зависимости ln(σ) от (1/T), равен Eg/2k. Тогда искомая ширина запрещенной полосы для данного полупроводника Eg=2•1,38•10-23•6225=1,718•10-19Дж=1,07эВ (для кремния из таблиц 1,14эВ)

Рассчитаем собственную концентрацию электронов и дырок (в равновесном состоянии) при T=293К = 20C:

Найдем подвижность электронов и дырок, используя соотношение Эйнштейна и справочные данные для диффузии электронов Dn=34см2/c и дырок Dp=13см2/c в кремнии:

Похожие материалы

Информация о работе

Тип:
Отчеты по лабораторным работам
Размер файла:
91 Kb
Скачали:
0