Уважаемые коллеги! Предлагаем вам разработку программного обеспечения под ключ.
Опытные программисты сделают для вас мобильное приложение, нейронную сеть, систему искусственного интеллекта, SaaS-сервис, производственную систему, внедрят или разработают ERP/CRM, запустят стартап.
Сферы - промышленность, ритейл, производственные компании, стартапы, финансы и другие направления.
Языки программирования: Java, PHP, Ruby, C++, .NET, Python, Go, Kotlin, Swift, React Native, Flutter и многие другие.
Всегда на связи. Соблюдаем сроки. Предложим адекватную конкурентную цену.
Заходите к нам на сайт и пишите, с удовольствием вам во всем поможем.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 2
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ
ЦЕЛЬ РАБОТЫ: определить диэлектрическую проницаемость сегнетоэлектрика, остаточную индукцию, коэрцитивную силу и тангенс угла диэлектрических потерь.
ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ
Сегнетоэлектрики - класс диэлектриков, которые обладают поляризованностью даже в отсутствии поля (спонтанная поляризованность). Диэлектрическая проницаемость () зависит от напряженности Е электрического поля, и при некоторых значениях напряженности относительная диэлектрическая проницаемость принимает очень большие значения (εx~104). Характерным и примерами сегнетоэлектриков является такие химические соединения, как сегнетова соль NaKC4HO6·4H2O, титанат бария BaT2O3 и другие.
Сегнетоэлектрики представляют собой разновидность полярных диэлектриков, молекулы которых вследствие асимметрии их строения обладают дипольными моментами даже в отсутствие внешнего электрического поля. В обычных полярных диэлектриках дипольные моменты различных молекул в отсутствие внешнего электрического поля ориентированы хаотически из-за теплового движения молекул. Поэтому суммарный дипольный момент молекул в любом физически бесконечно малом объеме равен нулю. В сегнетоэлектриках имеет место сильное взаимодействие между дипольными моментами молекул, характерная энергия которого превышает энергию хаотического теплового движения молекул. Вследствие этого взаимодействия, дипольные моменты близких молекул ориентируются в одном направлении, то есть происходит самопроизвольная поляризация сегнетоэлектрика в отсутствие внешнего электрического поля. Область сегнетоэлектрика, в пределах которой все дипольные моменты ориентированы в одном направлении, называется сегнетоэлектрическим доменом. Сильная спонтанная поляризация такого домена приводит к возникновению в окружающем пространстве электрического поля. Минимизация энергии внешнего электрического поля достигается благодаря поляризации доменов в различных направлениях. В этом случае суммарный дипольный момент всего сегнетоэлектрика и напряженность электрического поли в окружающем пространстве близки к нулю. Принимая во внимание доменную структуру сегнетоэлектриков, можно качественно объяснить их диэлектрические свойства. При помещении сегнетоэлектрика во внешнее электрическое поле возникает взаимодействие с этим полем. Поскольку потенциальная энергия дипольного момента в электрическом поле с напряженностью имеет минимум при параллельной ориентации векторов и , то по мере возрастания напряженности поля будет происходить постепенная переполяризация доменов в направлении внешнего электрического поля. Приблизительный график зависимости электрического поля показан на рис.2.1.
Рис 2.1
Кривая имеет горизонтальный участок, соответствующий состоянию насыщения поляризации. В этом состоянии весь объем сегнетоэлектрика поляризован в направлении внешнего электрического поля, и при возрастании напряженности не может происходить дальнейшее увеличение поляризации. Что касается электрической индукции
(2.1)
то состоянию насыщения поляризации сегнетоэлектрика соответствует линейная зависимость между величинами D и E. Значение Pнас можно определить путем экстраполяции линейного участка кривой D(), образующего с осью абсцисс угол , до пересечения с осью ординат. При этом длина отрезка, отсекаемого прямой на оси ординат, равна Pнас (рис. 2.2.)
Рис.2.2
Поскольку в общем случае имеет место нелинейная зависимость электрической индукции D от напряженности поля E, то относительна диэлектрическая проницаемость является функцией E. Из (2.1)следует зависимость
(2.2)
График которой представлен на рис.2.3.
Рис. 2.3
В соответствии с рис.2.1, при малых значениях E поляризация быстро растет, а относительная диэлектрическая проницаемость увеличивается. При больших напряжённостях рост поляризации замедляется, и , достигнув максимального значения, начинает монотонно убывать. После перехода сегнетоэлектрика в состояние насыщения поляризации относительная диэлектрическая проницаемость стремится к единице по гиперболическому закону Таким образом эффективное использование больших значений возможно только при определенных напряженностях электрического.) поля, когда сегнетоэлектрик еще не находится в состоянии насыщения поляризации. Напряженность Eср, при которой относительная диэлектрическая проницаемость имеет максимальное значение, можно определить из условия . Используя выражение (2.1), (2.2), получаем соотношения:
Уважаемые коллеги! Предлагаем вам разработку программного обеспечения под ключ.
Опытные программисты сделают для вас мобильное приложение, нейронную сеть, систему искусственного интеллекта, SaaS-сервис, производственную систему, внедрят или разработают ERP/CRM, запустят стартап.
Сферы - промышленность, ритейл, производственные компании, стартапы, финансы и другие направления.
Языки программирования: Java, PHP, Ruby, C++, .NET, Python, Go, Kotlin, Swift, React Native, Flutter и многие другие.
Всегда на связи. Соблюдаем сроки. Предложим адекватную конкурентную цену.
Заходите к нам на сайт и пишите, с удовольствием вам во всем поможем.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.