ρост
θ T Tк θ T
– температура Дебая.
Полупроводники. Собственная проводимость. Зависимость собственной эл.проводимости от температуры.
При повышении t или под действием света происходит разрыв валентных связей, в результате образуются свободные электроны и дырки. При отсутствии внешнего эл. поля дырки движутся хаотически и могут быть рекомбинировать. Под действием внешнего эл. поля на хаотическое движение накладывается упорядоченное движение, при этом происходит перенос эл. заряда вдоль кристалла, т.е. возникает эл. ток. Собственная проводимость п/п электронная и дырочная.
Примесная проводимость п/п. Возникновение локальных энергетических уровней.
В случае трехвалентной примеси появляются свободные места – дырки, равносильные заряду «+», при этом возникает дополнительная примесная дырочная проводимость. Такой п/п называется п/п p-типа. В этом случае в запрещенной зоне появляются дополнительные энергетические уровни, которые находятся немного выше валентной зоны и называются акцепторными.
донорные уровни
В случае пятивалентной примеси 1 е– становится лишним, т.е. не учавствует в связи, при этом возникает примесная электронная проводимость. Такой п/п наз п/п n–типа. В этом случае в запрещенной зоне появляется дополнительные уровни, расположенные близко к свободной зоне, которая называется дополнительными уровнями.
Контакт двух проводников. Электронно–дырочный переход. Полупроводниковый диод и его ВАХ.
p-nпереход – граница соприкосновения полупроводников p и n типа.
полупроводниковый диод
I
U
Полупроводниковый транзистор и его ВАХи.
Транзистор – это система двух p-n переходов.
p n p
Э Б К Э К
IЭ IБ IК
+10В –0,5В –10В
Б
n p n Э К
Э Б К
IЭ IБ IК
–10В –0,5В +10В
IK,μA Б
100 0,8
0,6
50 0,4
IБ=0,2 μA
0 10 20 Uкэ, В.
(усиления по току,
напряжению,
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.