ρост
θ T
Tк
θ T
![]() |
– температура Дебая.
Полупроводники. Собственная проводимость. Зависимость
собственной эл.проводимости от температуры.
![]() |
При повышении t или под действием света происходит разрыв валентных связей, в результате образуются свободные электроны и дырки. При отсутствии внешнего эл. поля дырки движутся хаотически и могут быть рекомбинировать. Под действием внешнего эл. поля на хаотическое движение накладывается упорядоченное движение, при этом происходит перенос эл. заряда вдоль кристалла, т.е. возникает эл. ток. Собственная проводимость п/п электронная и дырочная.
Примесная
проводимость п/п. Возникновение локальных энергетических уровней.
![]() |
В случае
трехвалентной примеси появляются свободные места – дырки, равносильные заряду
«+», при этом возникает дополнительная примесная дырочная проводимость. Такой
п/п называется п/п p-типа. В этом случае в запрещенной зоне появляются
дополнительные энергетические уровни, которые находятся немного выше валентной
зоны и называются акцепторными.
![]() |
донорные уровни
В случае пятивалентной примеси 1 е– становится лишним, т.е. не учавствует в связи, при этом возникает примесная электронная проводимость. Такой п/п наз п/п n–типа. В этом случае в запрещенной зоне появляется дополнительные уровни, расположенные близко к свободной зоне, которая называется дополнительными уровнями.
Контакт двух проводников. Электронно–дырочный переход. Полупроводниковый диод и его ВАХ.
p-nпереход
– граница соприкосновения
полупроводников p и n типа.
![]() |
полупроводниковый диод
![]() |
|||||
![]() |
|||||
![]() |
|||||
I
U
![]() |
Полупроводниковый транзистор и его ВАХи.
Транзистор – это система двух p-n переходов.
p n p
Э Б К Э
К
IЭ IБ IК
+10В –0,5В –10В
Б
n p n Э
К
Э Б К
IЭ IБ IК
–10В –0,5В +10В
![]() |
IK,μA Б
![]() |
100
0,8
0,6
50 0,4
![]() |
IБ=0,2 μA
![]() |
|||
![]() |
0 10 20 Uкэ, В.
(усиления по току,
напряжению,
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.