Магнитное поле и его характеристики. Магнитное поле элемента тока. Теорема о циркуляции вектора магнитной индукции. Вихревой характер магнитного поля. Энергия магнитного поля. Объемная плотность энергии, страница 7

 ρост

                    θ                T                                 Tк             θ         T

 


                                         – температура Дебая.

Полупроводники. Собственная проводимость. Зависимость собственной эл.проводимости от температуры.

 


При повышении t или под действием света происходит разрыв валентных связей, в результате образуются свободные электроны и дырки. При отсутствии внешнего эл. поля дырки движутся хаотически и могут быть рекомбинировать. Под действием внешнего эл. поля на хаотическое движение накладывается упорядоченное движение, при этом происходит перенос эл. заряда вдоль кристалла, т.е. возникает эл. ток. Собственная проводимость п/п электронная и дырочная.

Примесная проводимость п/п. Возникновение локальных энергетических уровней.


В случае трехвалентной примеси появляются свободные места – дырки, равносильные заряду «+», при этом возникает дополнительная примесная дырочная проводимость. Такой п/п называется п/п p-типа. В этом случае в запрещенной зоне появляются дополнительные энергетические уровни, которые находятся немного выше валентной зоны и называются акцепторными.

 


                                                                                   донорные уровни

В случае пятивалентной примеси 1 е становится лишним, т.е. не учавствует в связи, при этом возникает примесная электронная проводимость. Такой п/п наз п/п n–типа. В этом случае в запрещенной зоне появляется дополнительные уровни, расположенные близко к свободной зоне, которая называется дополнительными уровнями.

Контакт двух проводников. Электронно–дырочный переход. Полупроводниковый диод и его ВАХ.

p-nпереход – граница соприкосновения полупроводников p и n типа.

 


полупроводниковый диод

 


                                                            I

                                                                                                                   U

 


Полупроводниковый транзистор и его ВАХи.

Транзистор – это система двух p-n переходов.

                    p           n           p

                    Э          Б           К                  Э                                           К  

                  IЭ            IБ          IК

 

   +10В                        –0,5В                      –10В

                                                                                                  Б

                    n           p           n                       Э                                       К

                    Э          Б           К

                  IЭ            IБ          IК

 

   –10В                        –0,5В                      +10В

 


      IK,μA                                                                                  Б

 


       100                      0,8

                        0,6

50                                           0,4

 


                        IБ=0,2 μA

 


   0                   10                    20             Uкэ, В.

                                                                            (усиления по току,

      напряжению,