Фактические значения статистического времени запаздывания разряда tс отличаются от среднего. Для определения закона распределения tcбудем предполагать, что имеется п0 промежутков с однородным полем и малым расстоянием между электродами. В этом случае временем формирования разряда tф можно пренебречь и считать, что . K п0 промежуткам приложено напряжение, и к моменту tчасть из них пробилась. Непробитыми остались nпромежутков. В последующий интервал времени dtпробьются dnпромежутков. Уменьшение числа непробитых промежутков составит
где -среднее число эффективных электронов, образующихся в промежутках за время dt.
Разделяя переменные в (4.15) и интегрируя, получаем
Значения можно интерпретировать как вероятность пробоя одного промежутка при статистическом времени запаздывания :
На рис 4.17 приведены качественный зависимости при разных отношениях приложенного напряжения U к разрядному при длительном воздействии. При среднее статистическое время запаздывания.С увеличением напряженности уменьшается. Если, то и .
Рис. 4. 17. Качественные зависимости при разных отношениях приложенного напряжения к разрядному U= при длительном воздействии: 1 — U/U= = 1; 2— U1U= >1; 3—U2/U= > >U1 /U=; 4 — опыт |
Рис. 4. 18. Построение вольт-секундной характеристики по опытным данным (грозовые импульсы) |
В промежутках с неоднородным электрическим полем облучение не играет роли, поскольку у электрода с меньшим радиусом кривизны, вблизи которого начинается разряд, свободные электроны появляются в результате распада отрицательных ионов. Этот процесс в воздухе идет при E/p>45 В/(см*мм рт. ст. ), что соответствует при нормальном давлении напряженности E=34 кВ/см. Статистическое время запаздывания невелико и имеет значительно меньший разброс, чем в промежутках с однородным полем, так как процесс распада отрицательных ионов, можно сказать, достаточно регулярен. Как и в однородном поле, имеет место зависимость tcи σ от напряжения.
Время формирования разряда tφ в общем случае содержит три составляющие (см. § 4. 2):
где tлав — время прохождения лавиной критической длины хкр; tстр — время развития стримера; tгл — время развития главного разряда; L— расстояние между электродами; uе—скорость дрейфа электронов; vстpи vгл— скорости развития стримера и главного разряда.
Скорость vглимеет порядок 109 см/с, поэтому третьим слагаемым в (4.18) можно пренебречь. Учитывая, что uе имеет порядок см/с и vстp = см/с, при малых расстояниях между электродами время формирования можно определить как
При разряде в однородных полях с расстояниями между электродами порядка единиц сантиметров tф составляет десятые доли микросекунды, что значительно меньше статистического времени запаздывания, которое может достигать десятков микросекунд.
При больших длинах промежутков с неоднородным полем (L>>xкр)
В этом случае tф больше времени ожидания затр. электрона tси существенно зависит от напряжения на промежутке. Вследствие некоторого различия в траекториях разрядов tф подвержены статистическим разбросам, поэтому обычно пользуются средним временем формирования, обозначаемым τ.
Составляющие времени разряда tс и tф, а значит, и время разряда tр при неизменном состоянии газа зависят от значения напряжения на промежутке. При увеличении напряжения повышается вероятность того, что появляющиеся в промежутке электроны станут эффективными, и tcуменьшается. Сокращается также и tф, поскольку при большем напряжении возрастает интенсивность разрядных процессов в промежутке. Поэтому чем выше разрядное напряжение, тем меньше время разряда, или, по-другому, чем короче импульс, тем выше разрядное напряжение.
Зависимость максимального напряжения импульса от времени разряда называется вольт-секундной характеристикой промежутка.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.