Выводы и сравнительный анализ по результатам таблиц 1 и 2:
_____________________________________________________________________________________________ _________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Приложение 1б
Лабораторная работа № 1 (1б)
1б – Исследование и выбор конструктивно-топологических параметров кристаллов БИС и СБИС.
Результаты расчета конструктивно - топологических параметров кристаллов БИС и СБИС.
Уровень компоновки, |
Устройство |
Интеграция |
Число внешних выводов |
Размер кристалла (мм) |
Уровень технологии λ (мкм) |
Шаг контактных площадок lкп (мкм) |
|||
Схемная (ЭЛЭ) |
Максимальная (с учетом эф-фективности) (ЭЛЭ) |
Логиче-ских (mi) |
Потенци-альных (me) |
Общее число (mобщ) |
|||||
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
|
СБИС |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
|
БИС в устройстве МКМ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
|
МКМ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
- |
- |
- |
|
БИС в устройстве панели |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
|
Панель |
+ |
+ |
+ |
- |
- |
- |
- |
- |
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.