Информатика и выч. техника \ Конструкторско-технологическое обеспечение производства ЭВМ

Исследование характеристик основных компоновочных параметров логических схем процессорных устройств ЭВМ и выбор конструктивно-топологических параметров кристаллов БИС и СБИС, страница 2

2). Расположение суммарного числа внешних контактных площадок (mi+me)на кристалле БИС или СБИС  рекомендуется производить только по периферийным сторонам кристалла. Матричное расположение по всему полю кристалла использовать не рекомендуется;

3). При определении размеров кристаллов БИС и СБИС следует учитывать максимальную эффективность использования ЛЭ на кристалле (η), составляющую η ≈0,5 При заданной схемной интеграции Nimax максимальная интеграция кристалла определяется как .

1.3.  Лабораторное задание

1а – Исследование характеристик основных компоновочных параметров логических схем процессорных устройств ЭВМ.

Исследовать зависимости характеристик основных компоновочных параметров логических схем процессорных устройств от изменения степени их интеграции, фактора структуризации схем по уровням компоновки и принципов компоновки элементов в схемах. Исследовать изменение следующих характеристик для двух основных принципов компоновки элементов: числа внешних логических выводов в схеме (с учетом базового критерия компоновки), числа каскадов ЛЭ в  тракте передачи информации, нагрузочной способности логических цепей по входу и выходу и др.

При проведении исследования использовать  4-е структурных уровня компоновки, на каждом из которых диапазоны интеграции схем (в ЭЛЭ) всякий раз повторяются. Количество вариантов значений текущей интеграции (в пределах максимального значения интеграции) выбирается студентом произвольно в пределах от M1min=1  доM4=M4max .

Результаты исследования свести в таблицы 1 и 2, формы которых приведены в приложении 1а.

1б – Исследование и выбор конструктивно-топологических параметров кристаллов БИС и СБИС.

Произвести расчет параметров кристаллов для каждого типа устройства с заданной интеграцией  и представить результаты расчета в виде таблицы 3 и топологических чертежей кристаллов БИС (для устройств МКМ и Панели) и СБИС (для устройства СБИС). Указать на чертежах (рисунках) размеры кристаллов, общее число контактных площадок (внешних выводов), включая контактные площадки под цепи питания и земли, расположение и шаг контактных площадок на кристаллах.

           Общий  вид    топологических  чертежей  кристаллов    представлен   на  рис. 1а  и  1б  в Приложении 1б.

III.  Формы отчетов

Приложение 1а

Лабораторная работа № 1 (1а)

1а – Исследование характеристик основных компоновочных параметров логических схем процессорных устройств ЭВМ.

Таблица 1

Результаты расчета основных компоновочных параметров устройств                              с общепроцессорным (ОП) принципом компоновки элементов.

Уровень
компоновки, i

Интеграция

Основные компоновочные параметры

Ni

Mi

mi

hi

Hi

Ki

ri

ril

li

ni

i = 1

1

1

N1

M1

N1max

M1max

i = 2

N1

1

N1∙M2=N2

M2

N2max

M2max

i = 3

N2

1

N2∙M3=N3

M3

N3max

M3max

i = 4

N3

1

N3∙M4=N4

M4

N4max

M4=M4max
Скачать файл