ü Определяем параметры контура.
Эквивалентная проводимость контура:
мкСм, (2.3.2)
где пФ – величина емкости контура,
где - емкость монтажа, примерно (5¸10)пФ;
-
собственная конструктивная емкость, примерно (5¸10)пФ.
-
выходная емкость усилительного элемента, пересчитанная к контуру, выбирается
из приделов:
= (3¸7) пФ;
индуктивность контура:
мкГн
(2.3.3)
Собственная (конструктивная) проводимость ШПК:
мкСм , (2.3.4)
где можно выбрать как (80¸100.)
1.
Определяем коэффициенты
подключения ШПК к выходной цепи смесителя () и к входу ПКФ (
) из условий согласования выходного сопротивления
смесителя с входным сопротивлением ПКФ и обеспечения нужной ширины полосы
пропускания широкополосного контура:
, (2.3.5)
где См - входная проводимость ПКФ.
, (2.3.6)
где ;
мкСм -
выходная проводимость смесителя.
Так как значение m получается больше единицы, то выполняется полное включение контура, а нужная полоса пропускания обеспечивается использованием шунтирующего резистора RШ:
мкСм (2.3.7)
Откуда кОм.
Принимаем
кОм.
2. Рассчитываем индуктивность связи:
мкГн, (2.3.8)
где - коэффициент связи принимается для многослойных катушек 0.4¸0.6
3. Определяется сопротивление резистора, включенного на выходе пкф:
кОм , (2.3.9)
где См - выходная проводимость фильтра;
См - входная проводимость следующего каскада.
Выбираем R = 5.6кОм.
4.
Определяем крутизну преобразователя
из таблицы
П2 [1]:
для микросхемы К174ХА2 мА/В при
мВ.
5. Определяем коэффициент усиления высокочастотной части микросхемы, нагруженной на ПКФ:
, (2.3.10)
где - коэффициент передачи ПКФ, определяется как величина, обратная
затуханию в полосе пропускания ПКФ (таблица 3.3 [1]).
2.4 Расчёт амплитудного детектора
Выходной УПЧ микросхемы К174ХА2 выполняется с открытым коллектором транзистора, к которому подключается внешний широкополосный контур. Связь детектора с ШПК непосредственная. Выполним расчет детектора на диоде Д9Б.
Наличие в схеме
резистора = R20 (для типовой схемы
=100 Ом) создает на диоде
небольшое отпирающее напряжение, это обеспечивает успешную работу детектора,
выполненного на кремниевом диоде, начиная с самых малых подаваемых на него
напряжений. По высокой частоте резистор
зашунтирован
конденсатором
= C20.
1. Величина шунтирующей ёмкости рассчитывается по формуле:
мкФ (2.4.1)
Выбираем типовое значение мкФ.
2.
Разделительную
емкость = C24 рассчитываем по формуле:
мкФ (2.4.2)
3.
Общую величину
сопротивления нагрузки определяем исходя из
условий получения малых нелинейных искажений. Выбираем микросхему УНЧ К174УН5,
ее входное сопротивление
=50 кОм.
кОм (2.4.3)
При этом принимаем:
кОм;
кОм
4. Общую емкость нагрузки определяем из условия отсутствия нелинейных
искажений вследствие инерционности нагрузки.
нФ, (2.4.4)
где Гц - высшая модулирующая частота;
- коэффициент модуляции.
нФ
5. Вычисляем входное сопротивление детектора:
кОм, (2.4.5)
при
6. Выбираем резонансное сопротивление нагруженного контура УПЧ:
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.