Разработка радиовещательного приемника АМ-сигналов в частотном диапазоне 1,0…1,6 МГц, страница 7

ü  Определяем параметры контура.

Эквивалентная проводимость контура:

мкСм,                                                                   (2.3.2)

где пФ – величина емкости контура,

где - емкость монтажа, примерно (5¸10)пФ;

 - собственная конструктивная емкость, примерно (5¸10)пФ.

 - выходная емкость усилительного элемента, пересчитанная к контуру,     выбирается из приделов: = (3¸7) пФ;

индуктивность контура:

мкГн                                                                     (2.3.3)

Собственная (конструктивная) проводимость ШПК:

мкСм ,                                                                  (2.3.4)

 где можно выбрать как (80¸100.)

1.  Определяем коэффициенты подключения ШПК к выходной цепи смесителя () и к входу ПКФ () из условий согласования выходного сопротивления смесителя с входным сопротивлением ПКФ и обеспечения нужной ширины полосы пропускания широкополосного контура:

,  (2.3.5)

где См -  входная проводимость ПКФ.

 ,                                                                               (2.3.6)

где ;

 мкСм -  выходная проводимость смесителя.

Так как значение m получается больше единицы, то выполняется полное включение контура, а нужная полоса пропускания обеспечивается использованием шунтирующего резистора RШ:

мкСм                                                                                (2.3.7)

   Откуда  кОм. Принимаем  кОм.

2.  Рассчитываем индуктивность связи:

мкГн,                                                                              (2.3.8)

где  - коэффициент связи принимается для многослойных катушек 0.4¸0.6

3.  Определяется сопротивление резистора, включенного на выходе пкф:

кОм ,       (2.3.9)

где  См - выходная проводимость фильтра;

      См - входная проводимость следующего каскада.

Выбираем  R = 5.6кОм.

4.  Определяем крутизну преобразователя  из таблицы П2 [1]:

    для микросхемы К174ХА2 мА/В при мВ.

5.  Определяем коэффициент усиления высокочастотной части микросхемы, нагруженной на ПКФ:

  ,                                                                           (2.3.10)

где - коэффициент передачи ПКФ, определяется как величина, обратная затуханию в полосе пропускания ПКФ (таблица 3.3 [1]).

2.4 Расчёт амплитудного детектора

 


 Выходной УПЧ микросхемы К174ХА2 выполняется с открытым коллектором транзистора, к которому подключается внешний широкополосный контур. Связь детектора с ШПК непосредственная. Выполним расчет детектора на диоде Д9Б.

 Наличие в схеме резистора = R20 (для типовой схемы =100 Ом) создает на диоде небольшое отпирающее напряжение, это обеспечивает успешную работу детектора, выполненного на кремниевом диоде, начиная с самых малых подаваемых на него напряжений. По высокой частоте резистор  зашунтирован конденсатором = C20.

1.  Величина шунтирующей ёмкости  рассчитывается по формуле:

 мкФ                                                                      (2.4.1)

 Выбираем типовое значение мкФ.

2.  Разделительную емкость = C24 рассчитываем по формуле:

  мкФ                                                                      (2.4.2)

3.  Общую величину сопротивления нагрузки определяем исходя из условий получения малых нелинейных искажений. Выбираем микросхему УНЧ К174УН5, ее входное сопротивление =50 кОм.

кОм                                                    (2.4.3)

   При этом принимаем:

  кОм; кОм

4.  Общую емкость нагрузки определяем из условия отсутствия нелинейных искажений вследствие инерционности нагрузки.

 нФ,                                                                              (2.4.4)

   где Гц - высшая модулирующая частота;

           - коэффициент модуляции.

           нФ

5.  Вычисляем входное сопротивление детектора:

  кОм,                                                                                  (2.4.5)

    при

6.  Выбираем резонансное сопротивление нагруженного контура УПЧ: