Перечень вопросов к экзамену по дисциплине «Электроника»

Приложение 1

ПЕРЕЧЕНЬ ВОПРОСОВ К ЭКЗАМЕНУ ПО ДИСЦИПЛИНЕ                           «ЭЛЕКТРОНИКА»

1. Предмет электроники, её роль в науке и технике. Основные научные направления электроники.  Основные виды преобразования электроэнергии.

2. Электрические вентили, их классификация, достоинства и недостатки.

3. Электрические свойства полупроводниковых материалов.

4. Собственная электропроводность полупроводниковых материалов.

5. Примесная электропроводность полупроводниковых материалов.

6. Электронно-дырочный переход (ЭДП), технологии получения ЭДП.

7. ЭДП при отсутствии внешнего напряжения.

8. ЭДП при подключении напряжения прямой полярности.

9. ЭДП при подключении напряжения обратной полярности.

10.1Полупроводниковый диод. Вольт-амперная характеристика (ВАХ) полупроводникового диода.

11.1Параметры полупроводниковых диодов (предельно допустимые и характеризующие).

12. Предельный прямой ток полупроводникового диода.

13. Перегрузочная способность полупроводникового диода.

14. Класс вентиля. Рекомендуемое рабочее, повторяющееся и неповторяющееся напряжения.

15. Повторяющийся импульсный обратный ток и прямое падение напряжения на вентиле.

16. Статическое и динамическое сопротивление вентиля. Температурные свойства ЭДП.

17. Емкость ЭДП и его частотные характеристики.

18. Виды пробоя р-п-перехода вентилей.

19. Основные типы полупроводниковых диодов.

20. Конструктивные особенности точечных диодов.

21. Конструктивные особенности маломощных  плоскостных диодов.

22. Конструктивные особенности силовых штыревых и таблеточных диодов.

23. Условное обозначение (маркировка) силовых и маломощных диодов.

24. Лавинные вентили.

25. Стабилитрон. Принцип работы, ВАХ, основные параметры.

26. Примеры использования стабилитрона (схема стабилизации напряжения, датчик изменения напряжения). Двухсторонние стабилитроны.

27. Туннельный диод. Принцип работы и основные параметры.

28. Специальные типы полупроводниковых диодов (обращенные диоды, варикапы, фотодиоды, светодиоды, фотоэлементы).

29. Биполярный транзистор, структурная схема, потенциальные диаграммы ЭДП при отсутствии и приложении внешнего напряжения.

30. Распределение токов в структуре транзистора, понятие коэффициентов передачи тока, коэффициента переноса неосновных носителей через базу, коэффициента инжекции .

31. Работа транзистора в схеме с общей базой (ОБ). Входные и выходные ВАХ. Параметры схемы включения.

32. Работа транзистора в схеме с общим эмиттером (ОЭ). Входные и выходные ВАХ. Параметры схемы включения.

33. Схемы включения транзистора как усилителя электрических сигналов. Краткие характеристики и области применения схем.

34. Режимы работы транзистора. Схема усилительного каскада на биполярном транзисторе. Входные и выходные характеристики каскада.

35. Работа транзистора в ключевом режиме. Принцип работы и временные диаграммы транзисторного ключа.

36. Малосигнальные и собственные параметры транзисторов. Схема измерения h-параметров транзистора.

37. Силовые транзисторные модули.

38. Параметры биполярных транзисторов. Классификация и маркировка (системы обозначения) транзисторов.

39. Полевые транзисторы. Классификация, маркировка.

40. Принцип работы полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.

41. ВАХ полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.  

42. Основные параметры полевого транзистора с управляющим p-n-пере ходом.

43. Полевые МДП-транзисторы со встроенным каналом. Входные и выходные характеристики.

44. Полевые МДП-транзисторы с индуцированным каналом. Достоинства и недостатки полевых транзисторов.

45. Технологии изготовления биполярных транзисторов.

46. Технологии изготовления полевых транзисторов.

47. Биполярный транзистор с изолированным затвором ( IGBT ).

48. Силовые модули на основе  IGBT-транзисторов.

49. Тиристоры. Назначение и классификация.

50. Динистор (диодный тиристор). Структурная схема, принцип работы, ВАХ.

51. Тринистор (триодный тиристор). Структурная схема, принцип работы, ВАХ.

52. Переходные процессы при включении тиристора.

53. Переходные процессы при выключении тиристора.

54. Основные параметры и маркировка силовых тиристоров.

55. Симметричные тиристоры (симисторы). Структура, ВАХ, основные параметры.

56. Полностью управляемые (запираемые) тиристоры (GTO-тиристоры). Процессы включения и выключения. Основные параметры.

57. Специальные типы тиристоров: лавинные, оптотиристоры, тиристоры марок ТД(динамические), ТБ (быстродействующие) и ТЧ (частотные).

58. Специальные типы тиристоров: асимметричный, тиристор-диод, КВК, полевой.

59. Конструктивное исполнение штыревых тиристоров.

60. Конструктивное исполнение таблеточных тиристоров.

61. Неравномерности распределения нагрузки при групповом соединении полупроводниковых приборов.

62. Параллельное соединение полупроводниковых приборов.

63. Последовательное соединение полупроводниковых приборов.

64. Параллельно-последовательное соединение полупроводниковых приборов.

65. Способы охлаждения полупроводниковых приборов. Сравнение систем охлаждения.

66. Воздушное естественное и принудительное охлаждение полупроводниковых приборов.

67. Испарительное охлаждение полупроводниковых приборов (с промежуточным теплоносителем).

68. Основные функциональные узлы и технические характеристики электронного осциллографа (на примере С1-137). Как происходит отклонение луча в электронно-лучевой трубке? (По методическим указаниям к выполнению лабораторных работ)

69.Принципы измерения с помощью осциллографа амплитудных и временных параметров электрических величин (тока, напряжения, частоты, сдвига фаз). (По методическим указаниям к выполнению лабораторных работ)

70.Контроль исправного состояния силовых диодов по значению импульсного обратного повторяющегося тока. (По методическим указаниям к выполнению лабораторных работ)