Изучение свойств собственных и примесных полупроводников и выполненных на их основе различных типов полупроводниковых резисторов

1.  Цель работы:

Изучение свойств собственных и примесных полупроводников и выполненных на их основе различных типов полупроводниковых резисторов, изучение методики измерения основных характеристик и параметров терморезисторов и фоторезисторов.

2.  Схемы исследований:

Рис. 1

Рис. 2

Рис. 3

3.  Таблицы и графики:

Таблица 1

U1, B	0	5	10	15		20	25	30
U2, B (t=1c)	0	0,8	1,8	2,52		3	3,4	3,6
U2, B (t=30c)	0	1	2	5,2		10,5	16	23,2
Uт, B (t=1c)	0	4,2	8,2	12,48		17	21,6	26,4
Uт, B (t=30c)	0	4	8	9,8		9,5	9	6,8
Iт,мА (t=1c)	0	1,56	3,52	4,94	5,88		6,66	7,05
Iт,мА (t=30c)	0	1,96	3,92	10,1		20,5	31,3	45,4
P, Вт	0	7,84	31,37	99,9		195,5	282,3	309,3
R, Ом		2040	2040	961,1		461,4	286,8	149,4

Таблица 2

Uт, В	0	2	4	6	8	10	12
Iт,мА (t=1c)	0	9	20	30	55	70	90
Iт,мА (t=30c)	0	12	28	50	55	45	38
P, Вт	0	24	112	300	440	450	456
R, Ом		166,6	142,8	120	145,4	222,2	315,7

Таблица 3

U, B	0	1	2	3	E, лк	Iии, мА
I, мА	0	0,6	1,1	1,4	50	8,5
I, мА	0	1,6	3,1	4,2	100	10,5
I, мА	0	2,9	5,5	8,2	300	12,5
I, мА	0	4,9	9,1	13	1000	14,5

Графики:

 

Вывод:

Изучил свойства собственных и примесных полупроводников и выполненных на их основе различных типов полупроводниковых резисторов; изучил методику измерения основных характеристик и параметров терморезисторов и фоторезисторов.