Исследование полупроводникового биполярного транзистора

ГУАП

КАФЕДРА № 53

ОТЧЕТ
ЗАЩИЩЕН С ОЦЕНКОЙ

ПРЕПОДАВАТЕЛЬ

проф., д.т.н.				Зиатдинов С.И.
должность, уч. степень, звание		подпись, дата		инициалы, фамилия

ОТЧЕТ О ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ
Исследование полупроводникового биполярного транзистора
по курсу: ЭЛЕКТРОНИКА

РАБОТУ ВЫПОЛНИЛА

СТУДЕНТКА ГР.

Санкт-Петербург
2010

Цель работы

Изучение и практическое исследование работы и характеристик полупроводникового биполярного транзистора.

Схема экспериментальной установки

Рис.1.Схема исследования входной ВАХ

Рис.2.Схема исследования выходной ВАХ

Результаты эксперимента

1. Исследование зависимости тока базы от напряжения между эмиттером и базой при постоянном напряжении между эмиттером и коллектором.

Таблица 1.

Uкэ=10 В	Uбэ, В	0,1	0,2	0,3	0,4	0,5	0,6	0,7	0,8	0,9	1	1,1	1,2	1,3	1,4	1,5
	Iб, мА	0,1	0,2	0,27	2	3	4	8	9	11	17	27	32	36	43	57

Таблица 2.

Uкэ=50 В	UБэ, В	0,1	0,2	0,3	0,4	0,5	0,6	0,7	0,8	0,9	1	1,1	1,2	1,3	1,4	1,5
	Iб, мА	0,1	0,2	0,27	2	3	4	8	9	12	17	22	26	28	34	36

2. Исследование зависимости тока коллектора от напряжения между эмиттером и коллектором при постоянном токе базы.

Таблица 3.

IБ = 6 мА	UБ = 600 В	0,05	0,1	0,2	0,5	1	2	4	6	8	10
		1,8	10,8	30,8	56	58	64	67	89	92	114

Таблица 4.

IБ = 12 мА	UБ = 1200 В	0,05	0,1	0,2	0,5	1	2	4	6	8	10
		5	24	68	181	204	210	212	227	258	270

Выводы

Полупроводниковый биполярный транзистор – это электронное устройство, работа которого основана на двух взаимодействующих p-n-переходах.

Входная Вольт-Амперная характеристика (ВАХ) транзистора – это зависимость тока базы от напряжения между эмиттером и базой при постоянном напряжении Uкэ. В лабораторной работе мы исследовали эту зависимость при Uкэ=10 В и Uкэ=50 В. Получившиеся ВАХ представлены на рис. 3. По рисунку видно, что при увеличении Uкэ ток базы будет уменьшаться. Это связано с тем, что при увеличении напряжения Uкэ меньше дырок рекомбинируют с электронами в базе, и они в большом количестве поступают из базы в коллектор.

Выходная ВАХ биполярного транзистора – это зависимость тока коллектора от напряжения между эмиттером и коллектором при постоянном токе базы. Мы исследовали ВАХ при IБ = 6 мА и IБ = 12 мА. Они представлены на рис. 4. При малых значениях Uкэ наблюдается резкий рост тока IБ, так как дырки из цепи эмиттера в большом количестве инжектируются в область базы и даже при небольшом напряжении между эмиттером и коллектором поступают из цепи базы в цепь коллектора. Однако при Uкэ≥ Uкэ min практически все дырки, поступившие из цепи эмиттера в базу, переходят в коллектор, и дальнейшего роста тока коллектора почти не происходит.