Изучение свойств выпрямительных полупроводниковых диодов (германиевого и кремниевого), кремниевого стабилитрона и туннельного диода

1.  Цель работы:

Изучение свойств выпрямительных полупроводниковых диодов (германиевого и кремниевого), кремниевого стабилитрона и туннельного диода.

2.  Схемы измерений:

Рис. 1 Схема измерения прямой ветви вольтамперной характеристики германиевого и кремниевого диодов и стабилитрона.

Рис. 2 Схема измерения обратной ветви вольтамперной характеристики германиевого диода.

Рис. 3 Схема измерения обратной ветви вольтамперной характеристики стабилитрона.

Рис. 4 Схема измерения вольтамперной характеристики туннельного диода.

3.  Таблицы измеренных и расчетных дынных:

Таблица1

Iпр	0	2	10	20	30	40	80	120	160	200	240	280
Uпр	0	0,39	0,4	0,41	0,45	0,48	0,52	0,54	0,55	0,56	0,57	0,58

Таблица2

Uобр	0	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
Iобр (Т=20)	0	0,16	0,17	0,17	0,17	0,17	0,17	0,17	0,17	0,17	0,17

Таблица3

U2	0	0,1	0,5	1	1,5	2	2,5	3	3,5	4	4,5	5
U1	0	5,7	6,1	6,7	7,1	7,7	8,2	8,7	9,2	9,6	10,1	10,5
Uобр	0	5,6	5,6	5,7	5,6	5,7	5,7	5,7	5,7	5,6	5,6	5,5
Iобр	0	0,0196	0,0980	0,1960	0,2941	0,3921	0,4901	0,5882	0,6862	0,7843	0,8823	0,9803

Таблица4

U1	0	0,05	0,1	0,15	0,2	0,25	0,3	0,35	0,4
U2	0	0,03	0,07	0,1	0,16	0,19	0,24	0,27	0,32
I1	0	5	5,7	5,75	5,6	6,1	7,4	8,2	9,5
Ig	0	4,999999	5,699998	5,749998	5,599996	6,099996	7,399994	8,199994	9,499993

4.  Графики:

R_{диф. стаб.}=1063 Ом

R_{диф. герм.} =36 Ом

R_{диф. тун. диода}=6 Ом

5.  Вывод:

Изучил свойства выпрямительных полупроводниковых диодов (германиевого и кремниевого), кремниевого стабилитрона и туннельного диода.