Электротехника \ Схемотехника

Разработка модуля асинхронной памяти, страница 5


Пояснения к временным диаграммам чтения и записи

Временные диаграммы являются наиболее удобным и наглядным средством описания работы электроники.   При выполнении тех или иных операций с памятью необходимо строго отслеживать момент активизации/пассивизации тех или иных сигналов управления. Иначе невозможно гарантировать надежный захват данных их приемником.             При выполнении операции чтения управляющие сигналы (#CE, #OE) должны быть предустановленны на регламентированное изготовителем микросхемы памяти, использованной в работе, время. Помимо этого изготовитель регламентирует время длительности адреса, в нашем случае адрес должен длиться не менее чем 15нс для чтения или записи. Поскольку априори не известно, какое устройство подает данные для записи, и какое их принимает при чтении, длительность подачи данных в обеих операциях (запись/чтение) должна регламентироваться режимными параметрами самой памяти, а не какими-либо характеристиками устройств, внешних по отношению к памяти. Единственная внешняя характеристика, данная в техническом задании к работе – это время цикла, с которым способно работать устройство, адресующее  память. Для надежной записи действительные данные должны длится не менее чем время установки плюс время удержания данных. Для выбранной МС памяти время удержания равно 3 (минимальное значение). В разработанном модуле принято равным 10нс(tSD). Кроме этого время удержания адреса (также минимально ноль) принято равным 4нс.


РАЗДЕЛ 2: ОЦЕНКА ВЫПОЛНЕНИЯ ТЕХНИЧЕСКОГО ЗАДАНИЯ И ВЫВОДЫ  О ПРОДЕЛАННОЙ РАБОТЕ

В ходе выполнения данной расчётно – графической работы были получены новые и закреплены имеющиеся знания по дисциплине «Схемотехника». Требования технического задания и цели расчётно – графической работы выполнены.

Данная работа помогла структурировать имеющиеся знания. Приобретены навыки по проектированию модуля памяти заданной информационной организации. Также была проведена большая работы по поиску технической документации, работа со справочными материалами.

Был разработан модуль памяти заданного типа и информационной организации,  тем самым, сделав большой шаг вперёд, к изучению и пониманию функционирования микропроцессорных систем. Получен опыт в проектировании модулей памяти с требуемой организацией по информационной ёмкости и по разрядности хранимого слова, причём осуществлена схема проектирования на нескольких микросхемах памяти, для организации нескольких физических страниц.

Была спроектирована схема контроля по модулю 2 записи/чтения данных в оперативную память. Производилась работа по комбинированию 2-х схем для организации совместной работы. Однако вопрос синхронизации данной работы по-прежнему остался открытым.   

Список используемой литературы:

  1. Угрюмов Е.П. «Цифровая схемотехника». – Спб.: БХВ-Петербург, 2005. – 782 стр.
  2. Хоровиц П., Хилл У. «Искусство схемотехники». – Спб.: Москва «Мир», 2003.- 702 стр.
  3. Справочник: Шило В.Л. «Популярные цифровые микросхемы». – Спб.: Челябинск «Металургия», 1989.-345 стр.
  4. Справочник: Осипов И.Ф. «Применение интегральных микросхем в электронной вычислительной технике» – Спб.: Москва «Радио и связь», 1987.-380 стр.
  5. Техническая документация на ИМС фирмы Cypress         www.cypress.com

ПРИЛОЖЕНИЕ 1: ВРЕМЕННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И ДИАГРАММЫ ЦИКЛА ЗАПИСИ В SRAM-7C1021B-15

Таблица 16. Временные характеристики цикла записи

Рис. 5 Диаграмма цикла записи

Таблица 17. Временные характеристики цикла чтения

Рис.6 Диаграмма цикла чтения

ПРИЛОЖЕНИЕ 2: ВРЕМЕННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И ДИАГРАММЫ ЦИКЛА ЗАПИСИ В SRAM- AS7C1024-15

Таблица 18. Временные характеристики цикла записи

Рис. 7 Диаграмма цикла записи

Таблица 19. Временные характеристики цикла чтения

Рис.8 Диаграмма цикла чтения
Скачать файл