Розробка підсилювача низької частоти для відтворення магнітофона запису, страница 9

Сg: K50 – 35 – 50В – 20 мкФ±10%

2.3.7. Уточнюємо величину частотних спотворень в області висоих частот:

m=FB/fS=18000/5.1*108=3.53*10-5

mЕП=m/1+S0*RΣ=3.53*10-5/1+0.15*933.78=2.5*10-7

FS=*(1+S02 Rн)=8*106/0.152*40*(1+0.152*2500)=5.1*108Гц

               τв=СоRΣ/(1+Sо*RΣ)=1,2*10-9Ф4Ом/(1+0.15*640)=86*10-9с

С0ВИХ+См+СВХ СЛ=2,8*10-10+15+10-12 +907*10-12=1,2*10-9 Ф

СвихТ2Т3=h21e*Ск=40*7*10-12 =2.8*10-10 Ф

 МвРОЗР=*=*=1(дб)

               СвхКБ=7*10-12 Ф.

2.4. Розрахунок 2-го каскаду попереднього підсилювача      відтворення

Кр=34,7дБ                                                              СФ             RФ                                                                       Rвх.сл.=162Ом Ек=40 В                                                                              -ЕК 

     Мн=1(0дБ)                                                                      RБ1     RH

     Fв=18 кГц

     Fн=33 Гц

     Мв=1(0дБ)                                                                               VT2

     Свх.сл.=7*10-12Ф                                                                                                                      

     RBX СЛ=46689 Ом                                                            RБ2      RE       CE

     Ім ВХ СЛ=0,5 мА

                                                                                                   Рис.7.

2.4.1.Знаходимо величину напруги

          Eк’=(0,8…0,9)Ек=0,85*28=23,8 В

2.4.2. Розраховуємо середнє значення струму спокою.

Iко≥1,4Imвх.сл.≈1,4*0,5*10-3=0,7 мА,

          Вибрані транзистори повинні входити в інтервал (0,5…2) мА  

2.4.3   Розраховуємо опір навантаження  каскаду та його тип: Rн=0,4Ек’/Iко=0,4*23,8/0,7*10-3=13600 Ом

      Rн: С2-22-0,125-13 кОм  ±5%

2.4.4.  По справочним даним для транзистора КТ3102А:

при Iко=0.7 мА і Uко≈0,5Ек’=0,5*23.8=11.9 В , Iбо≈0,01 мА, Uбо≈0,45 В

Визначимо величину опру і тип резистора Rе:

Rе=URе/Iе=0,1Ек’/( Iко+ Iбо)=0,1*23.8/(0.7*10-3+0,01*10-3)=3300 Ом

  Rе:С2-22-0,125-3.3kОм  ±5%

Визначимо величину ємності і тип конденсатора Се:

 Се≥(10…20)/ 2ПFнRе=15/6,28*33*3300=22 мкФ

Се:К50-6-20мкФ  63 В+_ 58020

2.4.5.    Визначаємо величини опорів і типи резисторів Rб1  та Rб2 :                       Rб1=(Ек’- Uбо-URe)/(Ig+ Iбо)=23.8-(0.45+2.375)/0.1*10-3+0.01*10-3=190681Ом

 Ig=(3…10) Iбо=10*0,01=0,1 мА

 Rб1: С2-22-0,125-200 кОм  5%

Rб2=(Uбо+URe)/Ig=(0,45+2.375)/0,1*10-3=28250 Ом

Rб2:С2-22-0,125 -27 кОм ±5%                                                              2.4.6.Визначимо величину опоруRф  та величину ємності Сф і їхні типи:        Rф=(Ек-Ек’)/(Ig+Iko+I), де I=1.8 мА

 Rф=(28-23.8)/(0,1*10-3+0.7*10-3+1.8*10-3)=1615.38 Ом

  Rф:С2-22-0,125-1.5 kОм  ±5%

Сф≥(10…15)/2ПFнRф=12,5/6,28*33*1597=37*10-6 Ф

Сф: К50-6-47 мкФ 63 В 8020

2.4.7. Розрахуємо коефіцієнт підсилення по потужності Кр:

Кр=КU*Кі

КІURВХ/R=421*490/10532=1958

KU=S0*R=0.04*10532=421

де R=RнRвхсл/ Rн+Rвхсл=13600*46689/13600+46689=10532 Ом

Rвх~=∆Uб/∆Iб≈500 Ом,

Rвх≈RBX*RБ1*RБ2~/RВХ*RБ1+RВХ*RБ2+RБ1*RБ2=500*190681*28250/500*190681+500*28250+190681*28250=490 Ом

Кр=10*lg(421*19.58)=39.16 дБ

Похибка 12,8% менша від дозволеної (20%)

2.4.8.  Визначаємо величину та тип розділової ємності Сg

Сg≥1/2ПFн(Rн+ Rвх.сл.)√М’н2-1

Сg=1/6,28*33(13600+10000) √1,000022-1=6,7 мкФ

Сg: К50-6-6,3 мкФ 20 В 8020

2.4.9. Уточнюємо величину частотних спотворень в області висоих частот:

Мв=√ 1+(2πFвСо RΣ)2

Со=Ск*h21eмін+См+Свхсл=6*10-12*100+10*10-12+7*10-12=6.27*10-12 Ф

Мв= √ 1+(6,28*18000*6.27*10-10*65)2 =1,00001 (0 дБ)<Мвпоп.розр.

2.4.10. Визначимо вхідний опір та вхідну ємність каскаду

Свх=(1/2ПFh21б Rвхск )+Скб(1+Кu)

Rвхск≈Rвх/(1+Кі)=490/(1+7.3)=59 Ом

Свх=(1/6,28*250*106*59)+6*10-12(1+562)=3,39*10-9 Ф.

2.5 Розрахунок регулятора тембру


                                                                                       EK

R1RБ1R2                  RH1

С1              C2 

RВЧRНЧ

                                                          С2                               СД