Розробка підсилювача низької частоти для відтворення магнітофона запису, страница 8

               СвихТ2Т3ВИХ+Ск=192нФ+0,015нФ=192,015нФ=1,9*10-7 Ф

FS1\q21Е=*(1+S02 Rн)=8/0,22*20*(1+0,22*4)=11,6 МГц

               tв=СоRн/(1+SоRн)=1,9*10 -7Ф46,66Ом/(1+0,2А/В*46,66Ом)=0,86*10 -6с

Мв(Т4Т5)=*=*

              **1,1(0,001дб)  

           Загальні спотворення в області ВЧ:

                  МрозВТ4Т5ВТ2Т=1*1,1=1,1(0,04дб)<МВТЗ=2дб

2.2  Розрахунок попереднього каскаду

2.3                                                                                                   EK

      Кр=26,8 дБ                                                                              RH1

      Мн=1(0дб)                                                                  Rб1     

      Мв=1 (0дБ)                                                                   R1                          C

      Fв=18 кГц

      Fн=33 Гц                                                                               VT1

      Свх.сл.=120 пФ

       Rвх.сл.=154,4 Ом                                          Rб2                      

       Iко=0,0074 А                                                              Re                    Ce

 Рис.5

2.2.1  По справочним даним для транзистора КТ503Д при Iко=0,0074 А і Uко≈0,5Ек=0,5*28=14 В ,  Iбо=185мкА  ,  Uбо=0,65 В

2.2.2   Визначаємо необхідні величини опору Rе та ємності Се, та їх тип:

Rе=0,1Ек/Iко+Iбо =0,1*28/0,0074+185мкА=369 Ом

По ряду Е24 Rе:С2-24-1-350 Ом ±5%

Се>10…20/(2pFнRе)=15/2*3,14*33*369=196*10-6 Ф

     По ряду Е24 Се: К50-6-200 мкФ ´ 63 В ±8020

2.2.3  Розрахуємо опір Rб1 та  Rб2 та їх типи:

Rб1=(Ек-Uбо-URe)/(Ig+Iбо)

Ig»(3…10)Iбо=10*185*10-6=1850 мкА

 Rб1=(28-0,5-2,8)/(1850*10-6+185*10-6)=12064 Ом

По ряду Е24 Rб1: С2-24-1-12 кОм±5%

Rб2=(Uбо+ URe)/ Ig=(0,65+2,8)/1850*10-6=1865 Ом

          По ряду Е24 Rб2:С2-22-0,125-1,2 кОм±5%

2.2.4  Розрахуємо коефіцієнт підсилення по потужності Кр:

                                          Кр=КU*Кі

де                               Кі=h21емін=40 ,   Кu=Кі*RS/Rвх ,

Rвх~=∆Uб/∆Iб » 1600 Ом

Rвх= Rвх~* Rб2/( Rвх~+ Rб2)=1600*1865/(1600+1865)=861 Ом

RS= Rн1* Rвх.сл./ Rн1+Rвх.сл.=1287*152,4/(1287+152,4)=136 Ом

Кu=40*136/861=6,3

тоді                                Кр=5,3*40=24,3 дБ

2.2.5  Уточнюємо величину частотних спотворень в області висоих частот:

Мв=√ 1+(2πFвСо RS)2

Со=Ск*h21eмін+См+Свхсл=20*10-12*40+15*10-12+120*10-12=9,35*10-10 Ф

Мв= √ 1+(6,28*18000*9,35*10-10*136)2 =1,0001 (0,00089дБ)

   2.2.26 Визначимо вхідну ємність каскаду

СВХ=1/2П*Fh21e*RВХ СЛК(1+КU)

Де RВХ СЛ=RВХ/(1+КІ)=861/1+40=21 Ом

СВХ=1/2П*8*106*21+20*10-12(1+17)=1,3*10-9=1,31*10-3мкФ.


2.3 Електричний розрахунок емітерного повторювача

Рис.6.

Кр=15,4 дБ Мн=1(0дб) Мв=1 (0дБ) Fв=18 кГц Fн=33 Гц  Свх.сл.=1,31 нФ

Rвх.сл.=861 Ом  .

2.3.1При використанні ЕП в яксті буфернго каскаду величину R знаходимо в межаїх від 1 до 5 кОм RН=2,5 кОм.

2.3.2 Знаходимо коефіцієнт передачі по напрузі, по струму і по потужності:

Кр=КU*Кі

де   Кі=RВХ / RВХ СЛ=46689/861*099=53,68    Кu=S0*RS/1+S0*Rвх=0.15*640/1+0.15*640=0.99 ,

RΣ= Rн1* Rвх.сл./ Rн1+Rвх.сл.=2500*861/(2500+861)=640 Ом

тоді    Кр=0.99*53.68=53.14(17 дб)

 Розрахуємо величину напруги ЕіКіК=URH+UK0 де URH=IE0*RH; де UK0=(2…3B)і струм спокою ІК0=0,5…1мА. При відомих значеннях UK0 i IK0 по статичним характеристикам знаходимо Іб0=0,05мА Uб0=0,4В.

IE=0.05+0.5=0.55мА  URH=0.00055*2500=1.375B ЕіК=1.375+2.5=3.87B.

2.3.4.  Розрахуємо опір Rб1 та  Rб2 та їх типи:

Rб1= ЕіК -(Uбо-URH)/(Ig+Iбо)

Ig=(3…10)Iбо=10*0.05=0.5мА

 Rб1=(3.87-0,4+1.375)/(5*10-4+5*10-5)=3809.11 Ом

По ряду Е24 Rб1: С2-24-1-3.9 кОм±5%

Rб2=(Uбо+ URH)/ Ig=(0,4+1.375)/5*10-4=3550 Ом

          По ряду Е24 Rб2:С2-22-0,125-3.6 кОм±5%

2.3.5. Знаходимо елемент фільтра та його тип

Rб1= ЕКіК /(Ig+IКо)=28-3,87/5*11-4+5*10-4 =24,1(кОм)                                         

Сф=5…10/ωH+RФ=7/207,24*24100=1,4*11-6Ф=1,4 мкФ

2.3.6.  Знаходимо величину розділової ємності та її тип:

Сg≥1/(ωH+RВХ СЛ)FHRH√MH2 – 1 =1/207,24*(2500+1490,5)√1.0022–1= 19 мкФ