MН .заг(дбБ)= MН .β VT6+ MН .β бп п=0,41+0,41=0,82дБ
Що відповідає умовам ТЗ .
Перераховуємо загальний коефіціент підсилення :
Кр(дБ)заг пзч=10Lg((Рвиха1а2а3а4)/Рдж.), де аn=А2VT6=22=4
Кр(дБ)заг пзч=10Lg((10*50*9*1*4)/4,2*10-9)=126дБ
Як видно додаткових каскадів вводити не потрібно
Нелінійні спотворення розподіляються по каскадам наступним чином: основну частину нелінійних спотворень вносить підсилювач потужності , тому на всі узгоджуючі каскади відводиться приблизно 0,4 % , а решту на підсилювач потужності, для даного пристрою за умовою ТЗ закладаємо 1,5%.
2.7.Розробка структурної схеми
В основу розробки структурної схеми підсилювача відтворення магнітофона покладемо дані отримані у процесі розрахунку.
Регулювання тембру введемо безпосередньо після першого підсилювального каскаду.
Регулятор гучності розмістимо після регулятора тембру.
Структурна схема підсилювача наведена на рис.2
2.8. Обгрунтування можливості використання ІМС.
Виходячи з результатів розрахунків структурної схеми пристрою на дискретних елементах, розглянемо можливість побудови пристрою на ІМС, що може дати цілий ряд переваг. Зробимо аналіз можливостей побудови окремих каскадів на ІМС:
Регулятор тембру повинен забезпечити підйом і відповідно завал в області НЧ, ВЧ та СЧ ±15дБ . Для регулювання тембру застосовуємо активний регулятор тембру з використанням операційного підсилювача. Переваги активних регуляторів тембру полягають в наступному:
- низькоомний вихід;
- в нейтральному положенні регулятора (рівномірна передача по всій смузі частот) затухання рівне 0 дБ, коефіцієнт підсилення КU=1;
- можливість застосування потенціометра з лінійною характеристикою регулювання;
- симетричність областей підйому та спаду частотної характеристики.
Схему регулятора тембру обираємо по довіднику [3]
Рис.3 Регулятор тембру
У якості операційного підсилювача застосуємо мікросхему К140УД12, електричні параметри якої:
|
Коефіцієнт підсилення по потужності вхідного каскаду регулятора тембру визначається:
Кр=Rвх /Rвих ,
Де Rвх=R1=500кОм, а Rвих дорівнює вихідному опору мікросхеми Rвих=1кОм
Кр=500 /1=500раз або Кр=10*lg500=27дБ
Оскільки за умовою ТЗ ми повинні отримати вихідну потужність 2 канали по 10Вт, то усе підсилення яке забезпечують розроблені каскади на транзисторах VT1-VT6 можна замінити на одну інтегральну схему.
Оскільки попередні розрахунки показали, що для забезпечення умов ТЗ потрібно забезпечити загальний коефіцієнт підсилення 107,9 дБ, а попередній підсилювач на регуляторі тембру забезпечує підсилення на 27дБ, то відповідно потрібно реалізувати підсилення на 80,9дБ.
Для розв’язку поставленої задачі достатньо використати одну мікросхему AN7171NK (стерео) фірми PANASONIC [7].
Обрана мікросхема має наступні параметри:
Uжив ±13 В
Іспож 120мА
Кu 76 дБ
Pвих, 12,5 Вт
Кг=0,1%
fн=40Гц fв=20кГц
Структурна схема обраної мікросхеми має вигляд:
Рис.4. Структурна схема ІМС AN7171NK.
Така заміна дасть одразу декілька переваг:
1) менші габаритні розміри та маса
2) простота монтажу, наладки та більш висока надійність при експлуатації
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.