C0-загальна ємність схеми що включає в себе вихідну ємність транзистора СВИХ.Т,ємність навантаження СН ,ємність монтажу СМ.
[ 5 cт.42]
СВИХ.Т=5,5пФ
СН=5пФ5
СМ=10пФ
Обираємо конденсатор С8 типу К10-17б-120пФ-25 В±10%
Визначимо значення розділової ємності С7 за формулою:
[ 5 cт.50]
Обираємо конденсатор С7 типу К50-35-3,9мкФ-160 В±10%
Визначимо значення розділової ємності С5 за формулою:
RВХ-вхідний опір каскаду
Обираємо конденсатор С5 типу К50-35-3мкФ-160 В±5%
Розрахунок коефіцієнта підсилення за потужністю ККП
Коефіцієнт підсилення по напрузі для даного каскаду визначається за формулою :
|
Коефіцієнт підсилення по струму для даного каскаду визначається за формулою :
[ 4 cт.84]
RВХ-вхідний опір каскаду
(раз)
Коефіцієнт підсилення по потужності для даного каскаду визначається за формулою :
[ 5 cт.2]
3.2 Розрахунок каскаду попереднього підсилення
Рисунок 5-Схема каскаду попереднього підсилення
Попередні данні для розрахунку:
Напруга живлення Е=12В
Коефіцієнт підсилення по потужності Кр(дБ) = 38,3 дБ
Частотні спотворення каскаду:
Мн= 0,26 дБ=1,03раз,
Мв = 0,043дБ=1,005раз
Нижня частота Fн= 50 Гц
Верхня частота діапазону Fв=8 МГц
Коефіцієнт нелінійних спотворень КГ для каскаду попереднього підсилення не повинен перевищувати 0,13%.
Використовуючи вихідні та вхідні характеристики транзистора КТ315Р рисунок 3 а) б) (Додатки) для напруги живлення Е=12В знайдемо в робочій точці струм колектора Ік.0=2 мА,напруга колектор-емітер Uке.0=6В,струм бази Іб.о=0,075мА і напруга база-емітер Uбе.0=0,5В.Опір навантаження
Потужність що розсіюється на резисторі R3 визначається за
формулою:
Iпод=10IБ0
Iпод=10*0,075=0,75мА
Визначимо потужність розсіювання на резисторі R3 :
Вибираємо резистор R3 типу МЛТ-0,125-3КОм±5%
Розрахунок кола емітерної стабілізації каскаду
Визначимо опір резистора Rе=R4+R5
Uе0=0,1Еж
(Ом)
Опір Re буде складатися з двох опорів R5=560 Ом-опір емітерної стабілізації і R4=33Ом-опір кола емітерної ВЧ корекції.
Визначимо потужність що розсіюється на резисторах R5 та R4 і оберемо їх номінали з стандартних рядів.
Потужність що розсіюється на резисторах R5 та R4 визначається за формулою:
Визначимо потужність розсіювання резисторів R12 та R9 :
Вибираємо резистор R5 типу МЛТ-0,125-560 Ом±10%
Вибираємо резистор R4 типу МЛТ-0,125-33Ом±10%
Розрахуємо ємність С2 за формулою:
Обираємо конденсатор С2 типу К50-35-360мкФ-25 В±5%
Розрахунок подільника в колі бази
Iпод=10IБ0
Iпод=10*0,075=0,75мА
Обераємо R2=2,2КОм
R1=RПОД-R2=16-2,2=13,8(КОм)
Обераємо R1=15КОм
Визначимо потужність розсіювання резисторів R2 та R1.
Потужність що розсіюється на резисторах R2 та R1 визначається за формулою:
Вибираємо резистор R2 типу МЛТ-0,125-2,2КОм±10%
Вибираємо резистор R1типу МЛТ-0,125-15КОм±10%
Розрахунок кола емітерної ВЧ корекції
Значення коректуючої ємності С4 визначається з виразу:
А-глибина ВЗЗ А=1+S0·R4
A=1+0,09·33≈4
Значення опору Re визначається через обрані номінали опорів R4 та R5
Re=R4+R5
Re=33+560=593(Ом)
τв-стала часу каскаду для області верхніх частот
C0-загальна ємність схеми що включає в себе вихідну ємність транзистора СВИХ.Т,ємність навантаження СН ,ємність монтажу СМ.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.