Підсилювач R, G, B відеосигналів кольорового телевізійного приймача, страница 5

                                        [ 2 cт.16]

Загальний коефіцієнт підсилення двох каскадів визначається за виразом:

Кр.заг ( дБ ) = Кр(ККП) КТ940А + Кр(КПП)КТ315Р                                       [ 2 cт.16]

Кр.заг ( дБ ) =23+38,3=61,3(дБ)

Так як Кр.заг(ККП)+(КПП) дБ =63,1дБ>Кр.заг(ТЗ)56дБ то умови технічного завдання виконано.

2.5 Частотні властивості біполярного транзистора

Частотні властивості біполярного транзистора, прийнято характеризувати граничними частотами, значення яких не повинні перевищувати верхню граничну частоту пристрою.

          Для біполярного транзистора.

                                                             [ 2 cт.13]

гранична частота транзистора за крутістю в схемі з спільним емітером

Гранична частота передачі струму в схемі спільна база

                                                      [ 2 cт.17]

Гранична частота передачі струму в схемі спільний емітер

rб - об'ємний опір бази

S0 – крутість транзистора в робочій точці

                                                                   [ 2 cт.17]

tк – стала часу

Ск – ємність колекторного переходу транзистора.

Значення крутості транзистора КТ940А в робочій точці S0 можна визначити з його вихідних характеристик Ік = f ( Uке ) рисунок 1(Додатки) та  вхідних характеристик  ІБ = f ( Uбе ), рисунок 2(Додатки)оскільки:

                                                               [ 3 cт.21]

          З вище вказаних формул для КТ940А розраховується:

            (МГц)

           (Ом)

          

         

          По аналогічній методиці проводяться розрахунки для транзистора попереднього каскаду підсилення КТ315Р.

Значення крутості транзистора КТ215Р в робочій точці S0 можна визначити з його вихідних характеристик Ік = f ( Uке ) та  вхідних характеристик   ІБ = f ( Uбе ) рисунок 3 а) б) (Додатки), оскільки:

           

  (МГц)

           (Ом)

         

          2.6 Розрахунок відношення сигнал / шум

При проектуванні багатокаскадних пристроїв розраховують напругу шуму лише першого каскаду. Рівень шуму першого каскаду визначає і мінімальний рівень вхідного сигналу при заданому відношенні сигнал / шум на вході. Як правило, для каскаду на біполярному транзисторі, розраховується мінімальна напруга на вході при заданому відношенні  сигнал / шум яке визначає чутливість пристрою:

                                                             [ 2 cт.19]

          Мінімальна вхідна напруга в режимі узгодження каскаду з джерелом сигналу дорівнює:

                                              [ 2 cт.19]

де Rвх – еквівалентний опір вхідного кола пристрою кОм.

    ∆F – cмуга робочих частот пристрою,кГц.

    Fш  - відносний коефіцієнт шуму біполярного транзистора першого каскаду.

          ∆F =Fв- Fн = (Гц) 

          v = 50 ( дБ ) =316,2 ( раз )

          Fш(КТ315Р)  =5 ( дБ ) = 3,126 ( раз )

          Rвх=Rвих.дж./2=5000/2=2500 (Ом)

           Uвх = 300 мВ › Uвх.мін = 9,93 мВ

Так як Uвх  > Uвх.мін то це свідчить про те що транзистор вибрано вірно.

2.7 Розподіл частотних і нелінійних спотворень по каскадах

Розподіл частотних спотворень по каскадах виконується окремо для області високих і низьких частот.

          Частотні спотворення в області високих частот зумовлені декількома складовими.

          Частотні спотворення МВ.Т, що визначаються впливом транзистора:

-  для каскаду з спільним емітером:

                                                    [ 2 cт.21]

де Fв – верхня частота робочого діапазону пристрою;

    fY21e – гранична частота транзистора по крутості в схемі з спільним емітером;

          Для ККП  ( раз ) = 0,04 дБ

          Для КПП  ( раз ) = 0 дБ

           Частотні спотворення Мв.сх. , що вносяться елементами схеми каскаду для резистивного каскаду з спільним емітером: