РрозсR8=Iпод2×R8 =0,00252×3900=0,024 Вт - МЛТ-0,125-3,9 кОм±10%
3.1.4 Розрахунок кола емітерної ВЧ корекції
Коректуюча ємність визначається з виразу:
,
де А - глибина ВЗЗ A=1+S·R9=1+0,06·68≈5;
τв=Со·R4=(Скін+Смон+Ск)·R4=(5пФ+10пФ+5,5пФ)·3000 Ом=61,5 нс.
Тоді =100 пФ.
Обираємо конденсатор К73-17-100пФ´160 В + 10% .
3.1.5 Розрахунок розділової ємності
=2,6 мкФ.
Обираємо конденсатор К53-30-2,7мкФ´20 В + 10% .
3.1.6 Розрахунок коефіцієнта підсилення за потужністю
КUККП
КIККП =КUККП
=3500 Ом
KIККП =КUККП
КPККП =10lg(КIККП КUККП)= = 33дБ
3.2 Розрахунок каскаду попереднього підсилення
Вихідні дані: Rн=R2=3 кОм, Е=12 В, Кр=29 дБ, Кн=0,12%, Мв=1,2 дБ, Мн=1 дБ.Електрична схема каскаду попереднього підсилення наведена на рисунку 3.
Рисунок 3 – Електрична схема каскаду попереднього підсилення
3.2.1 Вибір робочої точки
Каскад попереднього підсилення зібраний по схемі зі спільним емітером на малопотужному транзисторі КТ315Б, тому в робочій точці струм колектора обирається Iк.о=2 мА. Використовуючи вихідні та вхідні статичні характеристики транзистора (Додаток1) визначимо напругу колектор-емітер Uке.о=6 В, струм бази Iб.о=0,075 мА і напругу база-емітер Uбе.о=0,5 В.
3.2.2 Розрахунок кола емітерної стабілізації режиму підсилювального каскаду.
Визначимо опір резистора Rе=R6+R10 і ємність конденсатора С4:
Ом,
опір Rе буде складатись із двох опорів R10=560 Ом - опір кола емітерної стабілізації і R6=43 Ом - опір кола емітерної ВЧ корекції.
Визначимо потужність розсіювання резисторів R10 і R6, оберемо їх номінали:
РрозсR10= Iк.о2×R10 =0,0022×560=0,002 Вт - МЛТ-0,125-560 Ом±10%
РрозсR6=Iк.о2×R6 =0,0022×43=0,0017 Вт - МЛТ-0,125-43 Ом±10%
Тоді ≈270 мкФ.
Обираємо конденсатор К50-35-270мкФ´160 В + 10% .
3.2.3 Розрахунок подільника в колі бази
Визначимо струм подільника в колі бази Iпод=10Iб.о=0,75 мА.
Опір резистора 16 кОм.
Тоді 2,2 кОм,
R1=Rпод-R5≈13 кОм.
Визначимо потужність розсіювання резисторів R1 і R5, оберемо їх номінали:
РрозсR1= Iпод2×R1 =0,000752×13000=0,007 Вт - МЛТ-0,125-13 кОм±10%
РрозсR5=Iпод2×R5 =0,000752×2200=0,001 Вт - МЛТ-0,125-2,2 кОм±10%
3.2.4 Розрахунок кола емітерної ВЧ корекції
Коректуюча ємність визначається з виразу:
,
де А - глибина ВЗЗ A=1+S·R6=1+0,06·43≈5;
τв=Со·R2=(Скін+Смон+Ск)·R2=(5пФ+10пФ+7пФ)·2000 Ом=44 нс.
Тоді ≈75 пФ.
Обираємо конденсатор К73-17-75пФ´160 В + 10% .
3.2.5 Розрахунок розділових ємностей
=4 мкФ.
Обираємо конденсатор К53-30-4,3мкФ´20 В + 10% .
=2,2 мкФ.
Обираємо конденсатор К53-30-2,2 мкФ´20 В + 10% .
3.2.6 Розрахунок коефіцієнта підсилення за потужністю
КUКПП
КIКПП =КUКПП
=1900 Ом
=1200 Ом
КIКПП =КUКПП =110
КPКПП =10lg(КIКПП КUКПП)== 38дБ
3.3 Розрахунок коефіцієнта підсилення пристрою за потужністю
=33+38=61 дБ>56 дБ.
3.4 Розрахунок регулятора рівня контрастності
Оскільки значення 30дБ відповідає зміні вихідної напруги у 32 разів, тобто вихідна напруга має змінюватись приблизно від 1 до 30 В. В якості регулятора контрастності використаємо подільних розміщений перед каскадом кінцевого підсилення.
Для того, щоб звести до мінімуму вплив подільника R7+R11 обираємо його великим: R7+R11=100кОм.
Отже, .
Тобто, 3 кОм; R7=100-3=97 кОм
Обираємо: R11: МЛТ-0,25-3 кОм±5%
R7: СП3-4е-0,25-100 кОм±5%
Принципова електрична схема відеопідсилювача та перелік елементів подано у додатках 3 і 4.
4. МОДЕЛЮВАННЯ ПРИСТРОЮ НА ЕОМ
4.1 Вибір моделюючої програми
Згідно вимог технічного завдання необхідно провести моделювання спроектованого пристрою на ЕОМ. З цією метою буде використано програму схемотехнічного моделювання Electronics Workbench 5.12. До переваг цієї програми слід віднести її наглядний інтерфейс та представлення результатів роботи у зручній для сприйняття формі. Також дана програма містить досить велику бібліотеку компонентів, а також дозволяє змінювати параметри елементів під час процесу аналізу.
4.2 Моделювання відеопідсилювача
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.