де Fв - верхня частота робочого діапазону підсилювача.
fY21Е - гранична частота транзистора по крутизні в схемі з спільним емітером.
Для транзисторів величина fY21e розраховується по формулі:
,
де r’б – об’ємний опір бази, S0- крутість транзистора в робочій точці.
fh21б=fh21е×(1+h21е)
fh21б(КТ940А)=90×26=2340 (МГц)
fh21б(КТ315Б)=250×51=7650 (МГц),
тоді об’ємний опір бази:
r’б= tк/Cк,
де Cк- ємність колекторного переходу транзистора, tк-стала часу.
r’б(КТ940А)=250/5,5=45,5 (Ом)
r’б(КТ315Б)=300/7=43 (Ом)
fY21e(КТ940А)=2340/(0,6×45,5)=85,8 (МГц)
fY21e(КТ315Б)=7650/(0,1×43)=12750 (МГц)
тоді
Мв т(КТ940А)==1,004 (раз) »0,04 (дБ)
Мв т(КТ315Б)==1(раз) »0 (дБ)
Частотні спотворення, які вносяться елементами схеми складають:
для резистивного каскаду зі спільним емітером:
Mв сх(КТ940А)=2 (дБ)
Mв сх(КТ315Б)=2 (дБ)
Отже, Mв ккп=Мв.т(КТ940А)+Мв.сх(КТ940А)=0,04+2=2,04 (дБ)
Mв кпп=Мв.т(КТ315Б)+Мв.сх(КТ315Б)=0+2=2 (дБ)
Використаємо ВЗЗ. Задавшись ВЗЗ з глибиною А=5, будемо мати відповідно:
Мвb ккп==1,21 (дБ).
Мвb кпп==1,2 (дБ).
Звідки загальні частотні спотворення на верхніх частотах складають:
Mв(дБ)=Мв.кпп(дБ)+Мв.ккп(дБ)=1,21+1,2=2,41 (дБ)
Частотні спотворення в області низьких частот зумовлені наявністю у каскаді кіл , що впливають на коефіцієнт підсилення у області низьких частот, і орієнтовно можуть бути визначені для кожного каскаду:
резистивний підсилювальний каскад зі спільним емітером Мн =0,8…1,2 дБ
Отже частотні спотворення пристрою у області НЧ будуть:
Mн ккп=1,2 (дБ), Mн кпп=1,2 (дБ)
Використаємо ВЗЗ. Задавшись ВЗЗ з глибиною А=5, будемо мати відповідно:
Мнb ккп==1 (дБ).
Мнb кпп==1 (дБ).
Звідки загальні частотні спотворення на нижніх частотах складають:
Mв(дБ)=Мв.кпп(дБ)+Мв.ккп(дБ)=1,21+1,2=2,41 (дБ)
Основну частину нелінійних спотворень вносить ККП (приблизно 90%), тому прийнявши Кккп=6% і враховуючи дію ВЗЗ:
Кккпb=Кккп/А=6/5=1,2%
Тоді загальний коефіцієнт гармонік складатиме:
Кг=Кккпb+Ккппb=1,2+0,12=1,32% < 2%
2.7 Розробка структурної схеми
В основу розробки структурної схеми відеопідсилювача покладемо дані які було отримано у процесі розрахунку структурної схеми.
Регулювання рівня контрастності введемо між каскадом кінцевого підсилення і каскадом попереднього підсилення.
Структурна схема підсилювача наведена на рисунку 1. Вона враховує те, що відеопідсилювач містить три ідентичні канали що забезпечують підсилення сигналів R, G, B.
Рисунок 1- Структурна схема пристрою на дискретних елементах
3 ЕЛЕКТРИЧНІ РОЗРАХУНКИ КАСКАДІВ ПРИСТРОЮ
3.1 Розрахунок каскаду кінцевого підсилення
Вихідні дані: Rн=R4=3 кОм, Е=90 В, Кр=23 дБ, Кн=1,2%, Мв=1,21 дБ, Мн=1 дБ. Електрична схема каскаду кінцевого підсилення наведена на рисунку 2.
Рисунок 2 – Електрична схема каскаду кінцевого підсилення
3.1.1 Вибір робочої точки
Використовуючи вихідні та вхідні статичні характеристики транзистора КТ940А (Додаток1) для опору навантаження Rн=3кОм і напруги живлення Е=90 В знайдемо в робочій точці струм колектора Iк.о=15 мА, напругу колектор-емітер Uке.о=40 В, струм бази Iб.о=0,25 мА і напругу база-емітер Uбе.о=0,6 В.
3.1.2 Розрахунок кола емітерної стабілізації режиму підсилювального каскаду.
Визначимо опір резистора Rе =R9+R12 і ємність конденсатора С7:
Ом,
опір Rе буде складатись із двох опорів R12=560 Ом - опір емітерної стабілізації і R9=68 Ом - опір кола емітерної ВЧ корекції.
Визначимо потужність розсіювання резисторів R12 і R9, оберемо їх номінали:
РрозсR12= Iк.о2×R12 =0,0152×560=0,126 Вт - МЛТ-0,25-560 Ом±10%
РрозсR9=Iк.о2×R9 =0,0152×68=0,015 Вт - МЛТ-0,125-68 Ом±10%
Тоді = 270 мкФ
Обираємо конденсатор К50-35-270мкФ´160 В + 10% .
3.1.3 Розрахунок подільника в колі бази
Визначимо струм подільника в колі бази Iпод=10Iб.о=10×0,25=2,5 мА.
Опір резистора 36 кОм.
Тоді 3,84 кОм (обираємо номінал 3,9 кОм),
R3=Rпод-R8=33 кОм.
Визначимо потужність розсіювання резисторів R3 і R8, оберемо їх номінали:
РрозсR3= Iпод2×R3 =0,00252×33000=0,206 Вт - МЛТ-0,5-33 кОм±10%
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.