Рискнок 9 – Максимальний підйом (а) та спад (б) в області ВЧ та НЧ
Для дослідженя максимального підйому та спаду АЧХ в області середніх частот здійснюється шляхом зміни величини опорів резисторів R10;R11:
R10= 0 кОм ;R11 =100 кОм : для підйому АЧХ,
R10 =100 кОм; R11= 0 кОм: для спаду АЧХ, регулятори R6;R7;R14; R15 при цьому мають значення:
R6 = R7 =50 кОм; R14 = R15= 235кОм.
Результати моделювання зображено на рис.10
а )
б)
Рисунок 10 - Максимальні підйоми ( а ) та спади ( б ) в області СЧ.
5. Порівняння результатів моделювання
У Таблиці 2 наведено результати, що були отримані при моделюванні і які очікувались до проведення моделювання
.
Таблиця 2
Прогнозовані результати |
Отримані результати |
1. Центральна частота фільтру середніх частот f0=1704.8 Гц 2. Граничні частоти f1в=1400 Гц f2в=33.88 кГц f1н=457 Гц f2н=33,9 Гц 3. Максимальний підйом та спад ∆Ннчmax=27 дБ ∆Нсчmax=28,4 дБ ∆Нвчmax=24,2 дБ |
1. Центральна частота фільтру середніх частот f0=1503 Гц 2. Граничні частоти f1в=1250 Гц f2в=37,5 кГц f1н=500 Гц f2н=40,4 Гц 3. З рис. 9, рис.10 видно, що відмінність є несуттєвою |
Заключення
У ході курсового проектування було розроблено два можливих напрямки реалізації підсилювача НЧ.
Перший варіант – на транзисторах. При використанні сучасних транзисторів підсилювач має непогані параметри, які задоволяють вимогам ТЗ, але недоліком такого варінту є складність розрахунку підсилювача, габарити і маса.
Другий варіант – на ІМС. Її використання дозволило значно спростити розрахунок підсилювача та зменшити кількість пасивних компонентів в електричній схемі, що призвело до менших габаритних розмірів та більш високої надійності підсилювача.
Реалізований варіант підсилювача на ІМС задоволяє всім вимогоам ТЗ. По деяким параметрам спроектований підсилювач має кращі показники , ніж задані в ТЗ. При реалізації підсилювача на практиці за рахунок розкиду параметрів активних та пасивних компонентів можна очікувати трохи більшого загального коефіцієнта підсилення та трохи менших нелінийних спотворень, так як розрахунок підсилювача проводився для найгірших параметрів використовуємих компонентів.
Література
1.Рудик В.Д. Методичні вказівки до курсового проектування аналогових та підсилювальних електронних пристроїв.-Вінниця: ВДТУ ,1999.
2. Шкритек П. Справочное руководство по звуковой схемотехнике.- М.: Мир, 1991.
3.Терещук Р.М., Терещук К.М., Седов С.А. Полупроводниковые приёмно-усилительные устройства. Српавочник радиолюбителя.- Киев: Наукова думка, 1989.
4.Романычева Э.Т.Разработка и оформление конструкторской документации РЕА.-М.:Радио и связь,1984.
Додатки
Додаток1
Принципова схема ІМС К174УН19
Призначення виводів ІМС К174УН19
Додаток2
Типова схема включення ІМС К174УН19 з двохполярним джерелом живлення
Типова схема включення ІМС К174УН19 з однополярним джерелом живлення
Додаток3
Амплітудно-частотна характеристика ІМС К174УН19
Залежність коефіцієнта гармонік від частоти для ІМС К174УН19
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.