Розробка схеми підсилювача нижніх частот відтворення для магнітофону, страница 6

Рисунок 3.5 Електрична схема регуляторів тембру НЧ, ВЧ.

   На рисунку 3.5. показана схема регулятора тембра, яка дозволяє роздільно регулювати в широких межах НЧ і ВЧ ділянки спектра відтворюваного сигналу. Розрахунок регулятора тембру проведемо за методикою, викладеною в [3].Вибираємо опір резистора R2=100кОм. Тоді за формулою коефіцієнта передачі на низьких частотах:

          Знаходимо значення опору

 R1=

    З ряду Е24 виберемо номінал 11кОм

. Виберемо частоту релювання на низьких частотах 55Гц. По цій частоті обчислюються значення

          також обчислюється

         

Зряду Е12 виберемо номінал 27 пФ

          довільно визначаємо опір R5 рівним опору R1=11кОм. За формулою коефіцієнта передачі на високих частотах

знайдемо значення

R3=

Зряду Е24 вибираємо номінал 3.6кОм.

По заданій частоті fв2=14кГц визначається ємність конденсатора


З ряду Е24 виберемо номінал 3,3 пФ         

З нерівності

             

Оскільки всі резистори схеми працюють в малопотужному режимі, то вибираємо їх.

R1: МЛТ-0.125 -11кОм±10%

R2: МЛТ-0.125-100кОм±10%

R3: МЛТ-0.125-13,6кОм±10%

R4: МЛТ -0.125-470кОм±10%

R5: МЛТ -0.125-11кОм±10%

Rвх: МЛТ -0.125-100кОм±10%

Rвх2: МЛТ -0.125-4.7кОм±10%

С1:КД-25В-26пФ+80%-20%

С3:КД-25В-3,3пФ+80%-20%

3.4. Розрахунок регулятора гучності.

Застосуємо схему регулятора гучності так, щоб його схемне рішення давало змогу підключати його безпосередньо до темброблоку.

Рис.3.6.Схема електрична  регулятора гучності.

Мінімальний рівень сигналу у данному випадку встановлюється за допомогою додаткового опору R2. Приймаємо R2=51 Ом,тоді для забезпечення заданої у ТЗ глибини регулювання гучності  40дБ або 100 раз опір змінного резистора R1 обиратимемо:

R1 100*R2

R15,1кОм

За  довідником [ 3] обираємо змінний резистор СП2-1:

Номінальна потужність: Рном= 0,5 Вт

Межі номінальних опорів: 47Ом…100кОм

Максимальна робоча напруга: Uмеж=120 В

          При такому матеріальному виконанні даний регулятор гучності буде мати глибину регулювання (раз) або 40,08 Дб.

3.5 Розрахунок   каскаду на транзисторі VT2.

        Кр=34,8 дБ                                                  

      Мн=0,75 дБ=1,096

      Мв=0,56 дБ=1,066                                                                

      Fв=14 кГц

      Fн=50 Гц                                                                 

      Свх.сл.=1,4*10-8 Ф                                                 

      Rвх.сл.=162 Ом                                           

      Ек=40 В

Рис.3.7. Схема електрична каскаду на транзисторі VT2.

3.5.1.  Ек’=(0,8…0,9)Ек=0,8*40=32 В

3.5.2.  Розраховуємо середнє значення струму, що споживається від джерела  транзистором VT2 каскаду  КТ3102А

Iко≥1,4Imвх.сл.≈1,4*2*3*10-3=8,4 мА,   Iко приймемо 10 мА

3.5.3.  Розраховуємо опір навантаження 1 каскаду та його тип: Rн=0,4Ек’/Iко=0,4*32/10*10-3=1280 Ом

     РRн=(0,4 Ек’)2/1300=0,12 Вт

     Rн: С2-22-0,125-1,3 кОм  ±5%

3.5.4.  По довідниковим  даним для транзистора КТ3102А:

при Iко=10 мА і Uко≈0,5Ек’=0,5*32=18 В , Iбо≈0,1 мА, Uбо≈0,4 В

Визначимо величину опру і тип резистора Rе:

          Rе=URе/Iе=0,1Ек’/( Iко+ Iбо)=0,1*32/(10*10-3+0,1*10-3)=317 Ом

          РRе=(0,1Ек’)2/ Rе=0,034 Вт

          Rе:С2-22-0,125-300 Ом  ±5%

Визначимо величину ємності і тип конденсатора Се:

          Се≥(10…20)/  2pFн Rе=20/6,28*50*300=212 мкФ

          Се:К50-6-220мкФ ´ 63 В ±8020

3.5.5.  Визначаємо величини опорів і типи резисторів Rб1  та Rб2 :                   Rб1=(Ек’- Uбо-URe)/(Ig+ Iбо)=35,5 кОм

          Ig=(3…10) Iбо=7*0,1*10-3=0,7 мА

          РRб1=(Ек’- Uбо-URe)2/ Rб1=(32-0,4-3,2)2/36000=0,022 Вт

          Rб1: С2-22-0,125-36 кОм  ±5%

          Rб2=(Uбо+URe)/Ig=(0,4+3,2)2/0,7*10-3=5143 Ом

          РRб2=(Uбо+URe)2/ Rб2=(0,4+3,2)2/5100=2,5*10-3 Вт

          Rб2:С2-22-0,125 -5,1 кОм ±5%

3.5.6.  Визначимо величину опоруRф  та величину ємності Сф і їхні типи:        Rф=(Ек-Ек’)/(Ig+Iko+I), де I≈2,5 мА

           Rф=(40-32)/(0,7*10-3+10*10-3+2,5*10-3)=606 Ом