Твёрдотельные, полупроводниковые детекторы

Страницы работы

Содержание работы

Раздел 4. Твёрдотельные, полупроводниковые детекторы .

Полупроводниковые детекторы  широко распространены и непрерывно развиваются в применениях для рентгеновских аналитических приборов.

Полупроводниковый детектор можно рассматривать как ионизационную камеру с твердым диэлектриком  между  электродами. При взаимодействии рентгеновского излучения с материалом детектора за счёт фото и комптоновского эффекта образуются вторичные электроны с энергией, достаточной для ударной ионизации,  то есть переводу электрона в зону проводимости с образованием соответствующего количества дырок в валентной зоне.

Очень быстро энергия электронов уменьшается до порога образования одной пары носителей заряда. (Энергия образования одной пары носителей приведена в таблице.4-1)

Ширина запрещённой зоны собственного полупроводника определяет наименьшую энергию фотонов, необходимую для протекания такого процесса.

 Таблица 4 –1

Основные свойства  чистых (беспримесных) кремния, германия и иодида ртути..

Характеристика

Кремний

Германий

Иодид ртути

Атомный номер

14

32

53-80

Атомный     вес

28,09

72,59

Плотность г/см³,

2,33

5,33

6,4

Ширина запрещённой зоны(300К˚), эВ

1,12

0,67

2,13

Плотность собственных носителей 1/см³

1,5·10

2,010

Подвижность электронов, μ (300Кº)см²/(в·сек)

1350

3900

100

Подвижность дырок ,

μ(300Кº) см²/(в·сек)

480

(2,1·10Т)

1900

(4,9·10Т)

4

Энергия образования пары,  эВ

3,75

2,94

4,2

В случае собственной проводимости электроны, получив добавочную энергию, оказываются в зоне проводимости, рис.4-1  В случае примесной проводимости электроны попадают в зону проводимости с донорных уровней, расположенных в запрещённой зоны (электронные полупроводники или полупроводники n-типа). В другом случаи электроны из валентной зоны переходят на акцепторные уровни в запрещённой зоне (дырочные полупроводники или полупроводники p- типа).

Похожие материалы

Информация о работе